偏置電路 文章 最新資訊
如何對耗盡型pHEMT射頻放大器進(jìn)行有效偏置？
- 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對其有效偏置。耗盡型場效應(yīng)晶體管(FET)需要負(fù)柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關(guān)斷的時(shí)序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對RF性能有何影響。圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡化框
- 關(guān)鍵字： pHEMT 放大器 有效偏置 偏置電路
運(yùn)算放大器電子電路設(shè)計(jì)攻略TOP6
- 關(guān)鍵字： 偏置電路 應(yīng)用電路 運(yùn)算放大
分壓式偏置電路經(jīng)典設(shè)計(jì)
- 分壓式偏置電路經(jīng)典設(shè)計(jì)-分壓式偏置電路是三極管另一種常見的偏置電路。這種偏置電路的形式固定，所以識別方法相當(dāng)簡單。
- 關(guān)鍵字： 偏置電路
0．6μm CMOS工藝全差分運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)
- 關(guān)鍵字： 運(yùn)算放大器 偏置電路 CMOS
| 共10條 1/1 1 |
偏置電路介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條偏置電路!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對偏置電路的理解，并與今后在此搜索偏置電路的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對偏置電路的理解，并與今后在此搜索偏置電路的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
偏置電路資料下載
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473