偏置電流 文章 進入偏置電流技術(shù)社區(qū)
相變存儲器驅(qū)動電路的設(shè)計與實現(xiàn)
- 介紹了一種新型的相變存儲器驅(qū)動電路的基本原理，設(shè)計了一種依靠電流驅(qū)動的驅(qū)動電路，整體電路由帶隙基準(zhǔn)電壓源電路、偏置電流產(chǎn)生電路、電流鏡電路及控制電路組成。該結(jié)構(gòu)用于16 Kb以及1 Mb容量的相變存儲器芯片的設(shè)計，并采用中芯國際集成電路制造(上海) 有限公司的0118μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS 工藝實現(xiàn)。
- 關(guān)鍵字： 相變存儲器 PCM 電流驅(qū)動 基準(zhǔn)電壓 偏置電流 電流鏡 互補金屬氧化物半導(dǎo)體
輸入偏置電流消除電阻，真的需要它們嗎？
- 您會為了匹配您運算放大器電路的輸入 DC 電阻而添加一個電阻器嗎？請看下面圖 1 所示電路。我們中的許多人會教條地認(rèn)為添加 Rb 是一種“好方法”，并讓其值等于 R1 和 R2 的并聯(lián)組合。我們現(xiàn)在就來研究使用這種電阻器的原因，并思考它的使用是否必要。
- 關(guān)鍵字： 偏置電流 運算放大器 電阻 熱噪聲 高阻抗節(jié)點
輸入偏置電流消除電阻――您真的需要它們嗎？
- 您會為了匹配您運算放大器電路的輸入 DC 電阻而添加一個電阻器嗎?請看下面圖 1 所示電路。我們中的許多人會教條地認(rèn)為添加 Rb 是一種“好方法”，并讓其值等于 R1 和 R2 的并聯(lián)組合。我們現(xiàn)在就來研究使
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談一談溫度對輸入偏置電流的影響
- 之前我們看了CMOS和JFET放大器輸入偏置電流的來源，發(fā)現(xiàn)其主要由一個或幾個反向偏置的PN節(jié)的漏電流組成。文章結(jié)尾引出了一個警示，這些漏電流隨著溫度升高而顯著的增大。 PN節(jié)的反向偏置漏電流有很強的正溫度系數(shù)，每升高10℃,漏電流大約增大一倍。在figure1歸一化曲線中可以看出，這種指數(shù)增長使得漏電流快速增加。到125℃時，漏電流相對室溫下增長了約1000倍。 不同的二極管特性使得漏電流增加的速率不一樣，兩倍的漏電流可能在8℃到11℃左右的范圍內(nèi)發(fā)生。這種高溫下的漏電流增長在一些電路中將會是重
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射頻低噪聲放大器電路的結(jié)構(gòu)設(shè)計
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- 關(guān)鍵字： 射頻 低噪聲放大器 LNA cascode結(jié)構(gòu) 偏置電流
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偏置電流介紹
運放是集成在一個芯片上的晶體管放大器,偏置電流biascurrent就是第一級放大器輸入晶體管的基極直流電流.這個電流保證放大器工作在線性范圍,為放大器提供直流工作點.因為運算放大器要求盡可能寬的共模輸入電壓范圍,而且都是直接耦合的,不可能在芯片上集成提供偏置電流的電流源.所以都設(shè)計成基極開路的,由外電路提供電流.因為第一級偏置電流的數(shù)值都很小,uA到nA數(shù)量級,所以一般運算電路的輸入電阻和反饋電 [ 查看詳細(xì) ]
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