保護(hù)電路設(shè)計(jì) 文章進(jìn)入保護(hù)電路設(shè)計(jì)技術(shù)社區(qū)

MOS管防護(hù)電路解析實(shí)測(cè)

功率MOS管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn)，但是MOS管具有較脆弱的承受短時(shí)過(guò)載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場(chǎng)合，所以在應(yīng)用功率MOS管對(duì)必須為其設(shè)計(jì)合理的保護(hù)電路來(lái)提高器件的可靠性。功率MOS管保護(hù)電路主要有以下幾個(gè)方面：1）防止柵極 di/dt過(guò)高：由于采用驅(qū)動(dòng)芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動(dòng)功率管會(huì)引起驅(qū)動(dòng)的功率管快速的開(kāi)通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩，或者有可能造成功率管遭受過(guò)高的di/dt而引起誤導(dǎo)通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生，通常在MOS驅(qū)動(dòng)器的輸出與MOS管的柵極之間串聯(lián)一個(gè)電阻(R509)，電阻的大
關(guān)鍵字：功率MOS管保護(hù)電路設(shè)計(jì)

概述隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，電力電子設(shè)備與人們的工作、生活的關(guān)系日益密切，而電子設(shè)備都離不開(kāi)可靠的電源，因此直...
關(guān)鍵字：直流開(kāi)關(guān)電源保護(hù)電路設(shè)計(jì)

摘要：針對(duì)靜電放電和電快速瞬變脈沖群(ESD／EFT)等危險(xiǎn)浪涌電壓會(huì)給數(shù)字移動(dòng)電話帶來(lái)死機(jī)、損壞等致命危害的問(wèn)題，便于電路設(shè)計(jì)人員加深對(duì)TVS器件的認(rèn)識(shí)，設(shè)計(jì)出高可靠性的保護(hù)電路，文章通過(guò)分析TVS器件的特性和主
關(guān)鍵字： TVS 數(shù)字移動(dòng)電話保護(hù)電路設(shè)計(jì) 抗干擾設(shè)計(jì)

引言服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、冗余存儲(chǔ)磁盤陣列（RAID），以及其它形式的通信基礎(chǔ)設(shè)施等高可用性系統(tǒng)，需要在...
關(guān)鍵字：熱插拔控制器保護(hù)電路設(shè)計(jì) 設(shè)計(jì)實(shí)例

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