保護(hù)環(huán) 文章 最新資訊
保護(hù)環(huán)對雙向可控硅靜電防護(hù)器件電容特性 的影響*
- 摘? 要：本文研究了P型保護(hù)環(huán)對雙向可控硅（DDSCR）靜電防護(hù)器件寄生電容的影響。在低壓工藝下制備 了不帶保護(hù)環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR）和帶保護(hù)環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR_GR）器件，在 高壓工藝下制備了不帶保護(hù)環(huán)的高壓雙向可控硅（HVDDSCR）和帶保護(hù)環(huán)的高壓雙向可控硅（HVDDSCR_ GR）器件。利用B1505A功率器件分析儀測試并討論了器件的電容特性，同時利用傳輸線脈沖（TLP）測試儀 分析了它們的靜電性能。結(jié)果表明，保護(hù)環(huán)的增加對器件靜電防護(hù)能力無較大影響，但在1?
- 關(guān)鍵字： 202206 雙向可控硅 保護(hù)環(huán) 寄生電容 傳輸線脈沖測試系統(tǒng)
使用保護(hù)環(huán)的反相放大器電路
- 使用保護(hù)環(huán)的反相放大器電路TLC2652是高精度放大器，往往在輸入電壓為微伏量級的情況下高增益工作。要保證 ...
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保護(hù)環(huán)介紹
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