低阻抗存儲(chǔ)芯片 文章 最新資訊

韓研究院報(bào)告：絕大多數(shù)半導(dǎo)體技術(shù)已被中國(guó)趕超

• 2 月 23 日消息，據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，韓國(guó)科技評(píng)估與規(guī)劃研究院（KISTEP）23 日發(fā)布的一份調(diào)查報(bào)告指出，韓國(guó)絕大多數(shù)的半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)被中國(guó)趕超。研究院針對(duì) 39 名國(guó)內(nèi)專家實(shí)施問卷調(diào)查的結(jié)果顯示，截至去年，韓國(guó)所有半導(dǎo)體領(lǐng)域的基礎(chǔ)力量均落后于中國(guó)。若將技術(shù)最先進(jìn)國(guó)家的水平設(shè)為 100%，韓國(guó)在高集成度、低阻抗存儲(chǔ)芯片技術(shù)領(lǐng)域就為 90.9%，低于中國(guó)（94.1%）位居第二；在高性能、低功耗的人工智能芯片領(lǐng)域，韓國(guó)（84.1%）仍不及中國(guó)（88.3%）。在功率半導(dǎo)體方面，韓國(guó)為 67.5%，中國(guó)高達(dá) 7
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