- 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務網站www.rutronik24.com.cn上供應這款MOSFET器件。SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低導通電阻(RDS(ON))，可以最大限度地降低傳導損耗。此外，該器件具有680pF的低輸出電容(Coss)和28.7nC的優化柵極
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高功率密度 低通導電阻
低通導電阻介紹
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