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低電容極限
低電容極限 文章 最新資訊
強(qiáng)茂新一代ESD系列 為高速應(yīng)用保駕護(hù)航 性能突破低耗損與低電容極限
- 強(qiáng)茂推出最新一代的靜電保護(hù)組件——第二代ESD保護(hù)二極管，結(jié)合了高效率和低漏電流的特點(diǎn)。經(jīng)10 GHz頻率測(cè)試，此系列產(chǎn)品的插入損耗數(shù)值為-0.25 dB至-0.38 dB之間。此外，第二代ESD保護(hù)二極管具有超低的結(jié)電容值 (Cj)，范圍從0.09 pF到1 pF，并擁有2.6 V到11.6 V的低靜電鉗位電壓，能夠有效降低靜電放電對(duì)電子設(shè)備的損害與能量消耗。 為滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化需求，此新系列產(chǎn)品采用多種封裝形式，包括節(jié)省空間的DFN0603-2L、DFN1006-2L、DFN1006
- 關(guān)鍵字： 強(qiáng)茂 ESD 高速應(yīng)用 低耗損 低電容極限
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低電容極限介紹
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