低溫生長 文章 最新資訊
MOCVD生長GaN基藍(lán)光LED外延片的研究
- 一引言Ⅲ-V族氮化合物InN、GaN、AIN及其合金材料，其帶隙寬度從1.9eV至6.2eV，覆蓋了可見光及紫外光光譜的...
- 關(guān)鍵字： 低溫生長 GaN緩沖層 外延片 藍(lán)光LED
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低溫生長介紹
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