低功耗內存 文章 進入低功耗內存技術社區(qū)
SK海力士正在開發(fā)低功耗LPDDR5M：能效提高8%
- 2月28日消息，SK海力士正致力于開發(fā)新一代低功耗內存LPDDR5M，其數(shù)據(jù)傳輸速率與現(xiàn)有的LPDDR5T相同，均為9.6Gbps，但在能效方面實現(xiàn)了顯著提升。LPDDR5M的工作電壓從1.01-1.12V降至0.98V，能效提高了8%。這一技術突破預計將廣泛應用于具備設備端AI功能的智能手機中，使其在本地運行密集型操作時消耗更少的電量，從而滿足設備制造商對高效能、低功耗的需求。業(yè)內人士推測，SK海力士最快將于年內推出LPDDR5M產(chǎn)品。與此同時，SK海力士在高帶寬內存（HBM）領域的研發(fā)也取得了重要進展
- 關鍵字： SK海力士 低功耗內存 LPDDR5M
美光低功耗內存解決方案助力高通第二代驍龍XR2平臺提升混合現(xiàn)實(MR)與虛擬現(xiàn)實(VR)體驗
- Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，其低功耗?LPDDR5X DRAM?和通用閃存?UFS 3.1?嵌入式解決方案現(xiàn)已通過高通?(Qualcomm Technologies, Inc.)?最新的擴展現(xiàn)實?(XR)?平臺——第二代驍龍? XR2?驗證。美光?LPDDR5X?和?UFS 3.1?外形尺寸緊湊，提供更高速率、更優(yōu)性能和更低功
- 關鍵字： 美光 低功耗內存 XR2平臺 混合現(xiàn)實 MR 虛擬現(xiàn)實 VR
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