- 隨著電子器件在汽車和其他產品上的應用越來越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來越高、體形也越來越小、研發的難度也越來越高，這些器件通常具有線間距短、線細、集成度高、運算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點，這也導致了這類器件對靜電的要求越來越高。其中涉及到的標準為：ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。其中在很多器件的ESD性能，都會使用TLP 測試，除了使用標準的TLP脈沖發生器之外，還需要使用示波器對其脈沖進行
- 關鍵字：
ESD TLP
- 隨著電子器件在汽車和其他產品上的應用越來越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來越高、體形也越來越小、研發的難度也越來越高，這些器件通常具有線間距短、線細、集成度高、運算速度快、功耗低和高輸入阻抗的特點，這也導致了這類器件對靜電的要求越來越高。其中涉及到的標準為：ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。其中在很多器件的ESD性能，都會使用TLP 測試，除了使用標準的TLP脈沖發生器之外，還需要使用示波器對其脈沖進行
- 關鍵字：
ESD 保護設計 傳輸線脈沖 TLP
- 摘? 要：本文研究了P型保護環對雙向可控硅（DDSCR）靜電防護器件寄生電容的影響。在低壓工藝下制備
了不帶保護環的低壓雙向可控硅（LVDDSCR）和帶保護環的低壓雙向可控硅（LVDDSCR_GR）器件，在
高壓工藝下制備了不帶保護環的高壓雙向可控硅（HVDDSCR）和帶保護環的高壓雙向可控硅（HVDDSCR_
GR）器件。利用B1505A功率器件分析儀測試并討論了器件的電容特性，同時利用傳輸線脈沖（TLP）測試儀
分析了它們的靜電性能。結果表明，保護環的增加對器件靜電防護能力無較大影響，但在1?
- 關鍵字：
202206 雙向可控硅 保護環 寄生電容 傳輸線脈沖測試系統
- 基于0.18 μm雙極CMOS-DMOS（BCD）工藝，研究并實現了一種陽極和陰極兩側均加入硅化物阻擋層（SAB）的可控硅（SCR）器件，可用于高壓靜電放電保護（ESD）。利用二維器件仿真平臺和傳輸線脈沖測試系統（TLP），預測和驗證了SAB層對可控硅性能的影響。測量結果表明，在不增加器件面積的情況下，通過增加SAB層，器件的維持電壓（Vh）可以從3.03 V提高到15.03 V。與傳統SCR器件相比，帶有SAB層的SCR器件（SCR_SAB）具有更高的維持電壓。
- 關鍵字：
可控硅（SCR） 硅化物阻擋層（SAB） 仿真 傳輸線脈沖測試系統（TLP） 維持電壓（Vh） 202109
- Ashton 博士說在正常工作條件下，ESD 保護元件應該保持在不動作狀態，同時不會對電子系統的功能造成任何影響，這可以通過維持低電流以及足以在特定數據傳輸速率下維持數據完整性的低電容值來達成。而在ESD 應力沖擊或
- 關鍵字：
TLP ESD 保護 元件
- Ashton 博士說在正常工作條件下，ESD 保護元件應該保持在不動作狀態，同時不會對電子系統的功能造成任何影響，這可以通過維持低電流以及足以在特定數據傳輸速率下維持數據完整性的低電容值來達成。而在ESD 應力沖擊或
- 關鍵字：
TLP ESD 屏幕 保護
傳輸線脈沖測試系統（tlp）介紹
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