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傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)
傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng) 文章 進(jìn)入傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)社區(qū)
保護(hù)環(huán)對(duì)雙向可控硅靜電防護(hù)器件電容特性 的影響*
- 摘? 要：本文研究了P型保護(hù)環(huán)對(duì)雙向可控硅（DDSCR）靜電防護(hù)器件寄生電容的影響。在低壓工藝下制備 了不帶保護(hù)環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR）和帶保護(hù)環(huán)的低壓雙向可控硅（LVDDSCR_GR）器件，在 高壓工藝下制備了不帶保護(hù)環(huán)的高壓雙向可控硅（HVDDSCR）和帶保護(hù)環(huán)的高壓雙向可控硅（HVDDSCR_ GR）器件。利用B1505A功率器件分析儀測(cè)試并討論了器件的電容特性，同時(shí)利用傳輸線脈沖（TLP）測(cè)試儀 分析了它們的靜電性能。結(jié)果表明，保護(hù)環(huán)的增加對(duì)器件靜電防護(hù)能力無(wú)較大影響，但在1?
- 關(guān)鍵字： 202206 雙向可控硅 保護(hù)環(huán) 寄生電容 傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)
帶有硅化物阻擋層的可控硅器件對(duì)維持電壓的影響*
- 基于0.18 μm雙極CMOS-DMOS（BCD）工藝，研究并實(shí)現(xiàn)了一種陽(yáng)極和陰極兩側(cè)均加入硅化物阻擋層（SAB）的可控硅（SCR）器件，可用于高壓靜電放電保護(hù)（ESD）。利用二維器件仿真平臺(tái)和傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)（TLP），預(yù)測(cè)和驗(yàn)證了SAB層對(duì)可控硅性能的影響。測(cè)量結(jié)果表明，在不增加器件面積的情況下，通過(guò)增加SAB層，器件的維持電壓（Vh）可以從3.03 V提高到15.03 V。與傳統(tǒng)SCR器件相比，帶有SAB層的SCR器件（SCR_SAB）具有更高的維持電壓。
- 關(guān)鍵字： 可控硅（SCR） 硅化物阻擋層（SAB） 仿真 傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)（TLP） 維持電壓（Vh） 202109
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傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)介紹
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