- 2023 年 5 月 24 日，中國—— 意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優值系數 (FoM) 比上一代同類產品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進技術，引入氧化物填充溝槽工藝，集極低的導通損耗和低柵極電荷于一身，實現高效的開關性能。因此，STL120N10F8的最大導通電阻 RDS(on)為 4.6mΩ（在 VGS = 10V 時），高效運行頻率達到6
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意法半導體 STripFET F8 晶體管 優值系數
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