- 日本產業技術綜合研究所（產綜研）與東京大學，聯合研制出了采用強電介質柵極電場效應晶體管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND閃存存儲單元。可擦寫1億次以上，寫入電壓為6V以下。而此前的NAND閃存存儲單元只能擦寫1萬次，且寫入電壓為20V。以往的NAND閃存只能微細化到30nm左右，而此次的存儲單元技術還可以支持將來的20nm和10nm工藝技術。
此次，通過調整p型Si底板溝道中所注入雜質的條件，使NAND
- 關鍵字：
FeFET NAND閃存 東京大學 產綜研
- 日本產業技術綜合研究所日前提出了在單層碳納米管（SWCNT）中有選擇地分離金屬性SWCNT和半導體性SWCNT的方法。 首先在雙氧水中對金屬性SWCNT和半導體性SWCNT混合而成的市售SWCNT（金屬性SWCNT占1/3）進行熱處理，利用半導體性SWCNT先于金屬性SWCNT發生氧化和燃料的原理，成功地將金屬性SWCNT的含量濃縮到了80％。金屬性SWCNT有望作為透明電極材料取代ITO（銦錫氧化物）。另外，由于有望能夠對SWCNT結構進行有選擇地控制，因此將來通過有選擇地提取半導體性
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半導體性 產綜研 金屬性 嵌入式系統 碳納米管
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