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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)（一）
- 1 引言 ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計(jì)是CMOS集成電路可靠性設(shè)計(jì)的重要任務(wù)之一，其E ...
- 關(guān)鍵字： 亞微米 CMOS電路 VDD-VSSESD
亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)（二）
- 3 仿真分析及具體設(shè)計(jì)結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，一種常見(jiàn)的具體的ESD瞬態(tài)檢測(cè)電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下：主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用，一般T=RC被設(shè)計(jì)為100ns-1000ns之間，而
- 關(guān)鍵字： VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
- 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計(jì)是CMOS集成電路可靠性設(shè)計(jì)的重要任務(wù)之一，其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關(guān)，隨著IC工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，特征尺寸越來(lái)越小，管子的柵氧層厚度越來(lái)越
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亞微米IC設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
- 在芯片科技日新月異的驅(qū)策下，設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)也持續(xù)倍增;全球消費(fèi)者導(dǎo)向市場(chǎng)瞬息萬(wàn)變，設(shè)計(jì)師的效率也愈形重要。與幾 ...
- 關(guān)鍵字： 亞微米 IC設(shè)計(jì)
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