- 摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機制及相應仿真模型的基礎上，研究了無緩沖層MOSFET準靜態擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數及決定因素。仿真研究了單緩沖層結構MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負
- 關鍵字：
二維數值 模擬 能力 SEB MOSFET 功率
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