- 半導體材料是電子信息產業的基石。目前，隨著晶體管特征尺寸的縮小，由于短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，主流硅基材料與CMOS(互補金屬氧化物半導體)技術正發展到10納米工藝節點而很難提升，摩爾定律可能終結。
因此，開發新型高性能半導體溝道材料和新原理晶體管技術，是科學界和產業界近20年來的主流研究方向之一。在眾多CMOS溝道材料體系中，相比于一維納米線和碳納米管，高遷移率二維半導體的器件加工與傳統微電子工藝兼容更好，同時其超薄平面結構可有效抑制短溝道效應，被認為是構筑后硅時代納電子器件和數字
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二維半導體
- 傳統上，當半導體材料越薄，其缺陷對于電子、光電元件的效能就有越嚴重的影響，一直是難以突破的困境。臺灣大學跨國團隊研發出獨步全球的零缺陷半導體材料，透過“修復缺陷”簡單方法，讓單層二維半導體材料能達到零缺陷等級，可提升LED發光效能100倍。上月研究刊登在“科學”《Science》期刊。 二維半導體材料具有特殊的電子傳導、光學、機械特性，可整合于現今半導體元件制程，被學界認為有很大潛力取代傳統矽材原料，其中中二硫化鉬(MoS2)是最熱門的半導體二維材料之一，但以目前合成制備技術，二維材料的缺陷密度還是
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半導體 二維半導體
- 近日，中科院半導體所超晶格國家重點實驗室博士生康俊，在李京波研究員、李樹深院士和夏建白院士的研究團隊中，與美國勞倫斯伯克利國家實驗室(LBNL)汪林望博士研究組合作，在二維半導體異質結的基礎研究中取得新進展。相關成果發表在9月30日美國化學學會主辦的《納米快報》(Nano Letters)上。
半導體異質結是由不同半導體材料接觸形成的結構。由于構成異質結的兩種半導體材料擁有不同的禁帶寬度、電子親和能、介電常數、吸收系數等物理參數，異質結將表現出許多不同于單一半導體材料的性質。在傳統半導體領域，以
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二維半導體 導體異質結
二維半導體介紹
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