- 近日，中國電科55所牽頭研發的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術及應用”成功通過技術鑒定。鑒定委員會認為，該項目技術難度大，創新性顯著，總體技術達到國際先進水平。該項目聚焦新能源汽車、光伏儲能、智能電網等領域對高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主創新的迫切需求，突破多項關鍵工藝技術，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產業鏈量產平臺，國內率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件，實現新能源汽車、光伏、智能電網等領域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供
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中國電科 55所 碳化硅 MOSFET
- 近日，中國電科網絡通信研究院研發的超高頻射頻識別芯片陸續交付用戶。該款芯片是 國內首款完全符合特定標準的射頻識別芯片 ，已成功應用于標識牌系統中，為個人信息標識、相關信息存儲提供安全保障。中國電科表示， 該芯片在基帶、射頻、存儲器等方面取得大量原始技術創新成果，在靈敏度、可靠性等指標上相較于同類型產品實現較大提升。前不久，中國電科49所超低溫鉑電阻研制成功，實現最低測量溫度零下196℃。鉑電阻是溫度傳感器的關鍵敏感元件，具有精度高、體積小、可靠性高等優點，通常的測量范圍是零下
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中國電科 超高頻識別芯片 射頻芯片
- IT之家?12 月 7 日消息，據中國電子科技集團有限公司（中國電科）消息，近日，由中國電科產業基礎研究院主導制定的兩項半導體國際標準正式發布，這也是我國在微波集成電路領域首次提出并主導制定的國際標準。據介紹，兩項標準瞄準 5G 通信、電子測量等領域廣泛應用的微波集成電路，規定了衰減器、限幅器的指標體系和測試方法，為規范產品性能測試和質量評價提供標準支撐，對現有微波器件標準體系進行有效補充和完善，體現了我國在該領域的技術水平和實力。近年來，中國電科產業基礎研究院主導制定發布四項國際標準，有力提升
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中國電科 5G 電子測量
- 據“中國電科”報道，國內高能離子注入機核心技術難關得到突破！由中國電科所屬北京爍科中科信設備研發團隊自主研制的國內首臺高能離子注入機已順利進駐國內先進集成電路大生產線。作為集成電路芯片制造的關鍵設備，離子注入機設備的研制難度極大、研制基礎薄弱，其應用也非常廣泛，不僅可以用做大規模集成電路和器件和半導體材料的離子注入，還能用于金屬材料表面改性和制膜等方面。其中，低能大束流離子注入機被應用于制程邏輯、DRAM、3D存儲器和CIS芯片制造中，高能離子注入機則較多應用在功率器件、IGBT、5G射頻、CIS、邏輯芯
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高能離子注入機 中國電科
- 近日，中國電科55所國博公司上報的《2012-2014年集成電路企業研發能力實施方案》，憑借過硬的產業技術基礎、良好的發展前景、具體的可行方案，順利通過評審，獲得國家發改委和財政部項目支持。
在“十二五”期間，中國電科國博公司計劃在射頻集成電路和模塊研發生產領域，通過穩步發展射頻基站產品、大力推廣終端產品、擴展新興產業方向，保持快速持續健康的發展。預計在2015年，國博電子將在射頻芯片及模塊產業領域繼續保持國內領先的地位，并在技術上緊跟國際知名公司、達到國際先進水平，在規
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中國電科 射頻集成電路
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