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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關應用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標準
- 奈梅亨，2023年11月30日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產品組合中首批發(fā)布的產品，隨后Nexperia將持續(xù)擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動
- 關鍵字： Nexperia SiC MOSFET 工業(yè)電源開關
Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產品達成戰(zhàn)略合作伙伴關系
- Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領域的領軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。三菱電機的功率半導體產品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設備和牽引電機等眾多領域實現(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
- 關鍵字： Nexperia 三菱電機 SiC MOSFET
能實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊
- 隨著全球對可再生能源的日益關注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產業(yè)不斷前行的關鍵。Nexperia（安世半導體）的 IGBT 產品系列優(yōu)化了開關損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅動需求的高溫短路耐受能力，實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。自推出以來，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）由于其高電壓、大電流、低損耗等優(yōu)勢特點，被廣泛應用于馬達驅動，光伏，UPS，儲能，汽車 等領域。變頻器變頻器由于“節(jié)能降耗”等優(yōu)勢，廣泛的使用在電機驅動的各個領域。讓我們先來走進變頻器，看看變頻器的典型電路?！敖弧薄弧彪娐?/li>
- 關鍵字： Nexperia IGBT
Nexperia超低結電容ESD保護二極管保護汽車數(shù)據接口
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia近日宣布擴展其超低電容ESD保護二極管產品組合。該系列器件旨在保護汽車信息娛樂應用的USB、HDMI、高速視頻鏈路和以太網等接口的高速數(shù)據線路。此次新增器件包括PESD18VF1BLS-Q、PESD24VF1BLS-Q、PESD30VF1BLS-Q和PESD32VF1BLS-Q，均采用DFN1006BD-2封裝，可在汽車生產線中通過側邊爬錫進行光學檢測。此外，PESD18VF1BBL-Q、PESD24VF1BBL-Q和PESD30VF1BBL-Q還提供緊湊
- 關鍵字： Nexperia 超低結電容 ESD保護二極管 汽車數(shù)據接口
Nexperia雙通道500 mA RET可在空間受限的應用中實現(xiàn)高功率負載開關
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布新推出全新的500 mA雙通道內置電阻晶體管(RET)系列產品，均采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝。新系列器件適用于可穿戴設備和智能手機中的負載開關，也可用于功率要求更高的數(shù)字電路。例如空間受限的計算、通信、工業(yè)和汽車應用。值得注意的是，DFN封裝的RET采用雙重空間節(jié)省方案，可加倍提高空間利用率。首先，通過將雙極性晶體管(BJT)和電阻巧妙地集成到單一封裝中，可節(jié)省大量電路板空間。此外，無引腳DFN封裝本身的空間效益較高。這種集成和封裝有
- 關鍵字： Nexperia 500mA RET 高功率 負載開關
Nexperia設定2035年碳中和目標
- Nexperia總部位于荷蘭，是一家擁有60多年歷史且發(fā)展迅速的全球性半導體企業(yè)。公司年產量超過1000億件，Nexperia深知自身對保護環(huán)境應承擔的社會責任。今年五月，Nexperia發(fā)布了其首份可持續(xù)發(fā)展報告，其中針對公司的環(huán)境影響、社會責任、增長目標以及其作為國際行業(yè)領導者的重要角色進行了評估。今天，Nexperia自豪地宣布其實現(xiàn)碳中和的預期目標，同時秉持公開透明的原則，并采取問責制度。Nexperia致力于到2035年在其直接運營排放（范圍1）和為運營采購能源而產生的間接排放（范圍2）方面實現(xiàn)
- 關鍵字： Nexperia 碳中和
Nexperia B.V.在Morningstar Sustainalytics的ESG風險評級中達到18.7分，打下堅實基礎
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia于2023年7月在Morningstar Sustainalytics的ESG風險評級中取得了18.7分的優(yōu)異成績，達到了新的重要里程碑。這是Nexperia首次參與ESG風險評級，在全球半導體設計和制造子行業(yè)的221家評估實體中排名前11%，這一優(yōu)異表現(xiàn)也使其順利躋身于知名企業(yè)前列。 Morningstar Sustainalytics對Nexperia在環(huán)境、社會和治理(ESG)方面的表現(xiàn)進行綜合評估，認為Nexperia遭
- 關鍵字： Nexperia ESG 風險評級
Nexperia擴展產品組合，率先推出集成式5 V負載開關
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出負載開關產品系列，進一步擴充其模擬和邏輯產品組合。NPS4053是本次產品發(fā)布的主角，這是一款高密度集成電路(IC)，憑借小巧的尺寸提供優(yōu)異的系統(tǒng)保護性能，可幫助提高系統(tǒng)可靠性，保障系統(tǒng)安全。該器件經過優(yōu)化升級，適合應用于便攜式設備（如筆記本電腦）、臺式電腦、擴展塢和車載信息娛樂系統(tǒng)。 負載開關是各種現(xiàn)代電子系統(tǒng)正常工作必不可少的器件。這些開關在以受控方式管理從電源到負載的電流/電壓方面發(fā)揮著關鍵作用。在典型的電源鏈中，NPS405
- 關鍵字： Nexperia 負載開關
Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據手冊，助力工程師隨時隨地分析MOSFET行為
- 奈梅亨，2023年5月11日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據手冊，大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過操作數(shù)據手冊中的交互式滑塊，用戶可以手動調整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點如何動態(tài)響應這些變化。 這些交互式數(shù)據手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外，工程師借助這些交互式數(shù)據手冊可以即時查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
- 關鍵字： Nexperia 交互式數(shù)據手冊 MOSFET
Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET
- 奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
- 關鍵字： Nexperia E-mode GAN FET
Nexperia 聘請經紀公司出售Newport晶圓廠
- Newport 晶圓廠擁有每月超過 35,000 個 200mm 晶圓的制造能力。
- 關鍵字： Nexperia Newport晶圓廠
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