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IR IRF6811和IRF6894DirectFET?Plus MOSFET采用了IR最新一代Si技術，Rds(on)和柵極電荷（Qg）比上一代器件低得多，并且功率損耗也減少了25%之多。此外，這些器件還提供了與超低柵極電阻（Rg）有關的所有優勢，從而通過將DC-DC轉換器的開關損耗降至最低水平而進一步提高了效率。
可以通過降低Rg來提高效率是因為它降低了與控制FET有關的開關損耗。降低Qg也可以產生類似的效果，然而，降低Qg通常會導致Rds(on)的增加，因此效果不如降低Rg那么明顯。
降低Rg還有助于防止同步FET的Cdv/dt感應導通，它主要是由于控制FET導通導致同步FET漏極電壓迅速增加所致。電壓迅速增加會通過密勒電容在同步FET柵極上產生電壓尖峰，而它有可能導通同步FET。該Cdv/dt感應導通會產生大量功率損耗，從而影響了整個負載范圍內的效率。低柵極電阻Rg能夠有效降低該柵極尖峰，進而消除了該損耗機制。
Rg越低，柵極驅動器輸出阻抗匹配就越好。由于越來越強調提高效率，所以進一步改進更多地需要系統方法（而不是單單改善MOSFET Rds(on)和Qg）的趨勢就越來越明顯了。特別地，柵極驅動器特性及其驅動的MOSFET之間的協同作用是提高效率的關鍵。調整Rg以便有效匹配驅動器輸出阻抗的能力會改善其驅動能力，從而提高效率。
降低Rg的另一個優勢在于提高了可靠性。MOSFET通常由大量并聯單元組成。保證各個單元具有較一致的導通特性可以避免少量單元暫時承受滿載電流，從而提高了可靠性。
RF6811 控制MOSFET 及IRF6894 同步MOSFET 分別以小罐及中罐供貨。25V DirectFETplus 組件結合了業界領先的導通電阻和柵極電荷以及低電荷，將傳導和開關損耗降到最低。IRF6894 還設有集成式單片肖特基二極管，可降低由體二極管傳導和反向恢復導致的損耗。新型DirectFETplus MOSFET 與上一代器件的占位面積兼容。新器件符合 AEC-Q101 標準，所采用的環保材料既不含鉛，也符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)。 |
