飛兆半導體公司專為功率及移動設計提供高能效、易于使用及高增值的半導體解決方案。飛兆半導體擁有業界最廣泛而全面的產品種類，功耗范圍從1W到1200W以上，能夠最大限度地提高電子設備如PDA、智能手機、筆記本電腦、智能筆記本、上網本、高分辨率平板顯示器和監視器、DVD、機頂盒、電源、電池組、電源適配器、馬達控制和工廠自動化、點火和引擎管理、照明系統等的能效。

飛兆半導體與領先的電子產品制造商客戶密切合作，了解未來產品的功率設計挑戰，再綜合不同的解決方案，從而最大限度地減少電力需求，為客戶帶來能滿足功效、噪聲或其他政府法規要求的優點。

飛兆半導體一直堅守以客為尊的信念，幫助客戶開發與眾不同的產品，并以飛兆半導體在功率和信號路徑產品上的專業知識解決客戶遇到的技術困難。

高效率、大電流處理能力和小外形尺寸是電源設計人員選擇用于電壓調節器解決方案的元件的至關重要的因素。飛兆半導體公司Generation II XS DrMOS (集成式驅動器 + MOSFET) 器件系列能夠提供高效率和高功率密度，可讓設計人員滿足刀片服務器、高性能游戲主板、高性能筆記本電腦、顯卡，以及大電流DC-DC負載點(point-of-load)轉換器等不同應用的特定設計需求。

Generation II XS DrMOS器件采用小型6mm x 6mm高性能clip PQFN封裝，具有較高的系統效率，在12Vin、1Vout和25A條件下重負載效率高于91.5%，峰值效率則超過94%。Generation II XS DrMOS器件可在2MHz開關頻率下運作，并具有最高50A的電流處理能力。

Generation II XS DrMOS系列器件提供5V和3.3V三態電平以匹配Intel®4.0 DrMOS規范，并可兼容市場上的多種PWM控制器。這些器件能夠顯著減少在控制FET和同步FET中使用PowerTrench? MOSFET屏蔽柵極技術而產生的振鈴噪聲。同步FET還集成了一個肖特基二極管，免除外部緩沖器電路，提高總體性能和功率密度，同時減少占用空間和成本。Generation II XS DrMOS器件還可以為客戶加入一項過熱報警功能，可在故障期間防止出現過熱狀況。