為什么要選擇400V SiC MOSFET?


        400V CoolSiC?MOSFET具有超低開關損耗和導通電阻,可有效提高系統效率和功率密度,同時提供了非常具有吸引力的價格定位。非常適合400V RMS AC 560VDC_LINK電壓的3級拓撲結構和288VDC_LINK電池/總線電壓的2級拓撲的需求。

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        CoolSiC? MOSFET 400V G2將高堅固性與超低開關損耗和導通電阻結合在一起,同時改善了系統成本。400V SiC MOSFET可在2電平和3電平硬開關和軟開關拓撲中提供出色的功率密度和系統效率。目標應用為人工智能服務器PSU、SMPS、電機控制、可再生能源和儲能以及D類放大器中的功率轉換。
        英飛凌官網了解400V CoolSiC?

        主要特征

        ? 與650V SiC MOSFET相比,FOM更好 ? 低Qfr值的快速換流二極管 ? RDS(on)溫度系數小 ? 柵極閾值電壓VGS(th)=4.5V

        ? 可以單電源驅動VGSoff=0V ? 100%經過雪崩測試 ? 開關速度可控性高

        ? 高dV/dt運行期間的低過沖 ? .XT互聯技術 ? 一流的熱性能

        可以根據應用需求進行搭配選擇

        參數表

        可選擇的英飛凌400V CoolSiC™ MOSFET第二代器件

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