富士通半導體FRAM鐵電隨機存儲器,其中MB85RC1MT是所有富士通半導體I2C串行接口產品中最高內存容量的產品,可保證有一萬億次寫入/擦除 (write/erase)周期,大幅超越傳統EEPROM的寫入/擦除周期次數,并可支持I2C接口及其他接口產品的實時數據登錄等頻繁的重復寫入數據作業。適用于需要經常重復寫入數據之應用,例如工廠自動化、測試儀器及工業設備所需之實時數據登錄應用。
MB85RC1MT可在攝氏零下40度至85度的溫度范圍以1.8V至3.3V工作電壓運作,可支持3.4MHz 的“高速”操作模式,并可在與傳統EEPROM相同的1MHz環境進行讀寫數據作業。
MB85RC1MT的出現增加了富士通半導體的FRAM產品陣容:I2C 接口(支持4 Kb至1 Mb內存容量)和SPI接口(16 Kb至2 Mb內存容量)。這些FRAM產品采用業界標準的8針腳SOP封裝,因而可取代EEPROM或序列閃存,并適用于工廠自動化、測試儀器及工業設備等應用,更無須大幅修改電路版的設計。 |