中國南車建成大功率半導體產(chǎn)業(yè)基地

　　9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國內(nèi)最大的大功率半導體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國南車正式投產(chǎn)。

　　為滿足國民經(jīng)濟發(fā)展的急切需求，打破國外公司的市場壟斷，推動大功率半導體產(chǎn)業(yè)上水平、上規(guī)模，中國南車旗下的株洲南車時代電氣股份有限公司(南車時代電氣)依托公司良好的技術基礎，總投資近3.5億元，于2006年年底啟動大功率半導體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地的建設，歷經(jīng)22個月后實現(xiàn)正式投產(chǎn)。

　　位于湖南株洲的生產(chǎn)基地總面積超2萬平方米，部分凈化級別達到了100級，由于產(chǎn)品對生產(chǎn)環(huán)境的要求極其苛刻，配套設施如空氣凈化系統(tǒng)、溫濕度控制系統(tǒng)、純水處理系統(tǒng)等方面采用了世界一流的技術裝備，并完全采用了與國際接軌的生產(chǎn)設備和工藝，是目前亞洲自動化、專業(yè)化和規(guī)模化程度最高的大功率半導體器件生產(chǎn)基地。

　　該基地主要生產(chǎn)5至6英寸全壓接高壓大電流雙極器件、IGCT及其配套二極管、IGBT封裝，計劃于2013年全面達產(chǎn)，達產(chǎn)后將形成年產(chǎn)5萬只6英寸半導體器件的生產(chǎn)能力，年產(chǎn)值達6億元。此次，他們已經(jīng)完成大功率雙極器件的配套生產(chǎn)能力，具有重要戰(zhàn)略意義的核心元件 IGBT封裝項目也正在實施，預計年底可以投產(chǎn)。

　　作為我國最早開發(fā)大功率半導體器件的單位之一，南車時代電氣通過技術引進與自主創(chuàng)新相結合，已經(jīng)發(fā)展成為我國最大的鐵路機車大功率半導體器件研發(fā)制造基地。