太陽能并網發電系統對半導體器件的需求分析

　　給太陽能逆變器選擇微控制器的原則包括：低的成本目標以滿足大量部署的需求;小的形狀因子;齊全的控制功能;與各個微型逆變器的控制器實現數據交換的能力;強大的并行運算能力;與模擬器件如電流和電壓傳感器接口，以實現系統峰值功率實時監測的能力;內置A/D轉換器;太陽能接地漏電流檢測能力;對太陽能電池板轉向電機進行控制的能力。

　　用于太陽能逆變器的功率器件

　　在太陽能逆變器的設計中，常用的IGBT分別為平面型IGBT和溝道型IGBT。在平面型IGBT中，多晶硅柵極是呈“平面”分布或者相對于p+體區是水平分布的。在溝道型IGBT中，多晶硅柵極是以“溝道方式向下”進入p+體區。這種結構有一個優點，就是可以減小通道對電子流的阻力并消除電流擁擠現象，因為此時電子垂直地在通道中流過。在平面型IGBT中，電子以某種角度進入通道，引起電流擁擠，從而增加電子流的阻力。在溝道型IGBT中，電子流的增強使Vce(on)大幅度降低。

　　除了降低Vce(on)外，通過將IGBT改成更薄的結構可以降低開關能量。結構越薄則空穴-電子復合速度就越快，這降低了IGBT關斷時的拖尾電流。為保持相同的耐擊穿電壓能力，在溝道型IGBT內構造了一個n場阻止層，以便在IGBT上的電壓增大時，阻止電場到達集電極區域。這樣實現的更低的傳導能量和開關能量允許逆變器的尺寸更小，或者相同尺寸逆變器的功率密度更大。

　　在太陽能發電系統中太陽能電池板需要串聯或并聯工作，太陽能模塊產生的直流電壓在幾百伏的數量級，如600V或1200V。上述最新的IGBT技術使得針對20kHz開關應用的最新一代600V溝道型IGBT得以實現。以IR公司采用全橋拓撲構建的500W直流/交流逆變器演示板為例，通過測量所降低功耗表明，采用新型經優化的溝道型IGBT器件，可使散熱片溫度降低16%。功耗的降低使IGBT的效率比前一代IGBT器件提高了近30%。

　　一般來說，在直流/交流逆變器系統設計中，選擇IGBT器件的基本準則是提高轉換效率、降低系統散熱片的尺寸、提高相同電路板上的電流密度。目前，市場上多家公司提供用于太陽能逆變器的功率器件，其中，包括IR、英飛凌、ST、飛兆半導體、Vishay、Microsemi、東芝等公司。

　　典型的并網發電系統

　　盡管太陽能資源是無窮盡的，每秒鐘到達地球表面的太陽光能量高達80萬千瓦，但是，由于太陽光輻射密度太低，導致太陽能電池的轉換效率非常低，所以，提升把太陽能電池收集的直流電轉化為交流電的太陽能逆變器的效率，對于提升太陽能發電效率就顯得至關重要。高效率且具有成本效益的逆變器成為評定太陽能發電系統優劣的關鍵指標。未來的發展關鍵以及競爭的焦點在于提高光電轉換效率。