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        基于時域反射和傳輸的S參數測量(07-100)

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        作者: 時間:2009-03-04 來源:電子產品世界 收藏

          還有上面提到的PSPL公司是皮秒脈沖儀器供應商,產品包括通用和專用脈沖發生器和階躍脈沖發生器,取樣示波器模塊和取樣門等,用戶需要擴展以上三家設備的特性或自行構建設備,可考慮采用該公司的產品作為優選的部件。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/92049.htm

          基于TDR/TDT的測量的誤區

          為了正確使用基于TRD/TRT的S參數測量方法,需要避免一些錯誤概念,主要表現為:

          第一,完全代替VNA。VNA能夠測量有源和無源的元器件,是阻抗域測量儀器中功能最全面,、最準確的設備。目前基于TRD/TRT的S參數測量只能夠解決同軸線、電纜等的無源S參數測量,而且以VNA作為測量對比的標準。

          第二,選擇高取樣率的數字存儲示波器。數字存儲示波器的帶寬取決于取樣率的提高,但基于TRD/TRT的S參數測量的帶寬與取樣率無關,而取決于階躍脈沖的上升時間。因而,基于TRD/TRT的測量無需選用時域測量儀器中功能最全面,取樣率最高的數字存儲示波器,只要使用數字取樣示波器即可。

          第三,VNA的背景噪聲最低。VNA使用帶通濾波器和數字濾波器,具有很低的背景噪聲。同樣數字取樣示波器使用多次平均運算,亦能顯著提高信噪比。VNA的低頻從100KHz或1MHz開始,而TRD/TRT的低頻一直延伸至DC,后者具有更好的低頻特性。

          第四,基于TDR/TDT的測量的動態范圍較低。早期TDR/TDT測量的動態范圍只有40dB,近年來取得進展,在帶寬20GHz以上時動態范圍擴大到70dB,加上使用數據多次平均降噪技術,動態范圍進一步得到改善,為同軸線、微帶、電纜的S參數測量提供足夠的動態范圍。

          結語

          基于TDR/TDT的S參數測量是一種成功的測量技術,過去通過時域—頻域的變換和反變換使兩域溝通起來,現在通過時域—頻域變換—S參數運算使時、頻、阻抗三域溝通起來,域際互通測量技術的前景更加廣闊。

          測試測量儀器中VNA是最高級和最昂貴的設備,一般實驗室沒有測量射頻/微波的S參數的的手段,而數字取樣示波器較容易擁有。已經證實,在數字取樣示波器基礎上構建的TDR/TDT,測量S參數設備,成本不到VNA 的一半。如果考慮到VNA的單臺價格20~30萬美元,則節省10~15萬美元是一筆可觀的經費。此外,VNA需要熟練的工程技術人員操作,測量時間要半小時以上,基于TDR/TDT的S參數測量的操作比較簡單,測量時間只要幾分鐘,的確是省錢、省力、省時的測量方法。(李儀)

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        關鍵詞: 測量 S參數

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