聯合式電路保護有助于防止損壞DVB網絡設備(06-100)
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在電壓超過器件“轉折”所需的擊穿電壓時，將導致一個低阻抗路徑的形成，從而有效地對過電壓狀況進行短路。器件將在流經它的電流降低到其保持額定值以下前保持在這種低阻抗狀態下。在過電壓事件發生后，器件將恢復成高阻值狀態，實現正常的系統運行。
TSPD的設計和運行
TSPD屬于雙向芯片器件。這種器件的4個對稱分層如圖7所示。在此“芯片”的橫截面圖上，其布置方式可以簡化成對如圖8和圖9所 示的2個晶體管和一個P型電阻器的描述。在正常運行中，電壓施加到兩個接線端的兩端。
隨著從正極至負極之間的電壓增加，PNP晶體管中發生的雪崩擊穿讓電流能夠通過。不斷增加的雪崩電流從正極通過PNP晶體管流動，隨后通過P電阻器流到負極。P電阻器兩端的電壓對NPN晶體管施加讓其導通的偏壓。在NPN晶體管施加偏壓而導通后，PNP晶體管將迅速切換成導通狀態，導致器件出現“轉折”現象。由于PNP晶體管的集電極電流驅動著NPN晶體管的基極，以及與此類似的NPN晶體管的集電極電流驅動著PNP晶體管的基極，該器件處于閂鎖狀態下。在運行過程中，在電壓超過規定的擊穿點時，該器件“轉折”成一個低阻抗的路徑，有效地對過電流狀態進行短路。在流經器件的電流降低到規定保持電流以下之前，此器件均保持在這種低阻抗狀態下。在過電壓事件過去后，器件將復位至高阻抗狀態，從而有可能恢復正常的系統運行。
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