熱交換器構(gòu)成可調(diào)電路斷路器(04-100)

　　9~12V的中、高電壓系統(tǒng)往往需要1個或多個電路功能：熱變換控制，電路斷路器失效保護(hù)和侵入電流限制。在圖1電路中R4可為負(fù)載(C1和R2)提供侵入電流限制和可靠的電路斷路器功能。仍然它只包含1個P溝道MOSFET、1個熱交換控制器IC和兩個任選電阻器(R1和R3)。在MOSFET漏極增加R4(小值電阻器)可提供可調(diào)節(jié)斷路點(diǎn)并改善工作溫度范圍內(nèi)的精度。

　　對于熱交換應(yīng)用，根據(jù)一般的9V/ms柵板驅(qū)動轉(zhuǎn)換率，U1限制侵入電流。侵入電流由下式給出：

　　I=(C×dv)/dt=C×SR

　　其中C表示負(fù)載電容，SR為U1設(shè)置的轉(zhuǎn)換率(通常為9V/ms)。對于100mF的負(fù)載電容，IC限制侵入電流大約為0.9A。

　　U1的電路斷路器功能用內(nèi)部比較器和MOSFET導(dǎo)通電阻RDS(ON)來感測失效條件。Q1的RDS(ON)典型值為52mW，U1具有300mV、400mV或500mV可選擇電路斷路器(CB)斷路點(diǎn)。在最低斷路點(diǎn)(300mV)，CB斷路電流一般為5.77A(Tj=25℃)。

　　電路斷路器的電壓斷路值由下式?jīng)Q定：

　　VCB＞RDS(ON)×ILOAD(MAX)或

　　VCB/ILOAD(MAX)＞RDS(ON)

　　假定所希望限值是2A，則所用典型值為：

　　300mV/2A≈150mW＞RDS(ON)

　　替代具有較高導(dǎo)通電阻的另1個MOSFET，大約100mW(R4)的電阻器與Q1串聯(lián)。除能夠可調(diào)節(jié)電路斷路器電平外，R4能提供更好的電路斷路器精度和改善整個溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定變。對于Q1的RDS(ON)≈52mW (Tj=25℃)和≈130mW (Tj=125℃)，其變化為150%。假若增加1個100mW、100ppm/ ℃電阻器(從25℃到150℃其變化為0.001W)，則從25℃(152mW)到125℃(231mW)組合變化僅為79W，此為52%。■(魯)