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        TRIQUINT半導體在中國發布LDMOS RF功率管產品組合

        作者: 時間:2008-03-15 來源:電子產品世界 收藏

          半導體公司宣布其廣泛的基于LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) 技術的RF功率管產品,現在可以在全球及設在中國深圳和上海的辦事處及安富利電子亞太銷售網絡獲得。這些豐富的器件產品為制造商的功率放大器設計提供高性能、具成本競爭力的解決方案。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/80090.htm

          新的RF功率管產品線包括之前由Peak Device公司銷售的產品,這家位于美國科羅拉多州的公司已被 半導體公司于2007年8月收購。Peak Device公司強大的LDMOS功率管產品線補充了TriQuint公司包括晶體管、放大器、開關及濾波器在內的產品線家族,廣泛應用于無線手持設備與RF網絡通信應用,并已在中國全面銷售。

          “我們很高興能夠擴充我們的產品,并提供給中國的制造商,”TriQuint公司亞洲區銷售總監Richard Lin(林偉儀)先生說,“通過應用LDMOS技術,新器件將TriQuint產品所覆蓋的頻率從865MHz 增加到了2.7GHz , RF輸出功率從30瓦增加到 180 瓦。 通過我們在深圳和上海的辦事處及代理商安富利電子(亞洲),制造商目前已經可以選擇我們提供的各種多樣化RF產品組合,滿足其對RF、 功率、濾波器和開關的設計需求。”

          中國無線通信網絡的成長速度連續創造記錄,中國目前擁有的移動電話用戶數量比大多數國家的人口還要多(2007年達3億3千萬人并且仍在迅速增長)。 政府對國外廠商進入通訊市場持鼓勵態度,而這將進一步刺激該產業的增長。根據iSuppli調研公司的預測,中國的3G增值服務市場將于2011年增長到195億美元。TriQuint公司最新發布的產品組合將滿足這一市場對無線通信基站和MMDS (Multichannel Multipoint Distribution Service)應用的需求,為制造商提供本地化的、可靠的器件來源,以支持中國電信業的持續性發展。

          歸因于高線性、高增益和高功效的特性,且結合了多次產品換代所帶來的成本節約效應,在RF系統的信號放大的應用中,基于硅 LDMOS的RF功率管一直很受用戶的歡迎。這次發布的新產品對TriQuint公司已在中國銷售的砷化鎵(GaAs) 晶體管、放大器和開關以及聲表面波與體聲波 (SAW / BAW)濾波器產品形成了很好的補充。

          “消費者目前有更多的選擇:有成本效益的、高性能的LDMOS加之高效率、高線性GaAs器件的優勢,能夠使RF工程師圍繞消費者的需求簡化產品設計”, 林先生說。

          供貨情況

          這種新的LDMOS產品線目前在中國及全世界通過TriQuint公司銷售機構或代理商銷售網絡可以買到。索取 TriQuint RF產品明細表,請訪問www.triquint.com/china或www.triquint.com ,在 www.triquint.com/china/rf登記索取新產品詳細資料。聯系安富利電子(亞洲)請訪問: http://www.avnet.com/home。



        關鍵詞: TriQuint

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