日本德州儀器耐壓30V的新模擬工藝技術將投入量產

　　日本德州儀器（日本TI）日前就模擬IC量產中采用的新工藝技術“LBC7”召開了一場記者說明會。LBC7是一種能夠集成耐壓30V的LDMOS（laterally diffused MOS）的雙極CMOS技術，相當于現有雙極CMOS技術“LBC6”（可集成耐壓18V的LDMOS）的后續技術。今后，美國德州儀器公司（TI）將運用LBC7，在2005年下半年至2006年陸續投產最大耐壓達數10V的電源IC、硬盤等馬達驅動IC與伺服驅動IC，以及車用半導體產品等。LBC7的生產線位于日本茨城縣美浦工廠。

　　與LBC6相比，LBC7對特性及制造技術等都進行了改進。首先，將LDMOS的導通電阻減小了15～20％。比如，Vdss為30V時導通電阻約為0.1mΩ