MIPS宣布其USB高速物理層IP已獲得特許半導體65nm和90nm工藝技術認證

　　MIPS 科技公司模擬業務部 Chipidea 宣布其 USB 高速物理層(PHY)IP 已獲得特許半導體(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd)65nm 和 90nm工藝技術認證。Chipidea 的 USB 2.0 OTG 物理層內核符合 USB 2.0 標準并獲得了獨立認證權威 USB 實施者論壇(USB-IF)的認證，是業界 USB 高速物理層 IP 最豐富產品組合的一部分，經過了硅驗證并獲得了特許半導體客戶就緒代工廠解決方案 0.18um、0.13um、90nm 及 65nm 認證。

　　Chipidea 的 USB IP 有助于加快用戶設計的 USB 和 USB OTG Supplement 進入便攜式計算設備的上市時間，如手持設備、移動電話、海量存儲設備及數碼相機。這些設備的市場正在迅速發展。市場研究機構 In-Stat 的報告顯示，2006 年全球 USB 設備的出貨量超過了 20 億臺，該機構預測到 2011 年，年出貨量將增長 12.3%。

　　特許半導體平臺聯盟部高級總監 Walter Ng 表示：“我們正在與幾個客戶合作，這些客戶都把 Chipidea 的USB 解決方案集成到他們的高速互連產品，這反映了對 Chipidea IP 的市場需求和客戶信任度。Chipidea 在及時供貨及其 IP 解決方案一次通過投片成功方面有著驕人的紀錄。公司的 USB 高速物理層產品滿足了我們為特許半導體客戶提供的標稱 65nm 和 90nm 低功耗公共平臺技術工藝嚴格的 IP 質量基準。”

　　Chipidea 物理解決方案部總監 Celio Albuquerque 表示：“USB-IF 在特許半導體的 65nm 和 90nm工藝的物理層認證建立在我們成為市場上第一個在今天各個最先進技術節點提供硅驗證 IP的基礎之上。客戶可以利用我們的 USB IP 解決方案，包括物理層器件和控制器，以最低的成本和最快的集成時間推向市場。”

　　Chipidea 的 CI12323cn(USB 2.0 OTG PHY)是作為 65 nm 標稱工藝的特許半導體公共平臺解決方案的一部分獲得硅驗證的。CI12343cm (USB 2.0 OTG PHY)也同樣獲得了 90nm低功耗工藝下的硅驗證。該內核可以在多種工藝規格下使用。