新聞中心

        EEPW首頁 > 電源與新能源 > 新品快遞 > IR推出用于DC-DC降壓轉換器的新型DirectFET MOSFET芯片組

        IR推出用于DC-DC降壓轉換器的新型DirectFET MOSFET芯片組

        ——
        作者: 時間:2005-07-15 來源:電子產品世界 收藏

          世界功率管理技術領袖國際整流器公司(International Rectifier,簡稱)近日推出新型的DirectFET MOSFET同步降壓轉換器芯片組。新品適用于下一代采用Intel和AMD處理器的高端臺式電腦和服務器,以及先進的電信和數據通信系統等高頻率、大電流的DC-DC轉換器應用。

          例如,電流為130A的五相轉換器如果采用最新的F6619 和F6633芯片組,可在一個緊湊的面積上實現85%的效率。

          IR中國及香港銷售總監嚴國富指出:“IRF6619 和IRF6633 芯片組能在處理器電源系統的每相位中取代四個標準的D-Pak MOSFET,可以減少一半的元件數量,并為每個相位減少一半以上的占板空間,有效壓縮工作站和服務器的體積。”

          IRF6619是理想的同步MOSFET,器件的典型導通電阻極低,在10VGS下為1.65mΩ,在4.5VGS下則為2.2mΩ,而逆向恢復電荷可以低至22nC。該器件采用MX中罐DirectFET封裝,占板面積與SO-8封裝相同,高度只有0.7mm。

          IRF6633的柵電荷極低,米勒電荷只有4nC,最適合作為控制用場效應管。與市場上其他20VN器件相比,其導通電阻和柵電荷減少了43%以上。該器件的混合導通電阻與柵電荷性能效益指數為38 mΩ-nC。它采用MP中罐DirectFET封裝,占板面積與SO-8封裝相同,高度同樣只有0.7mm。

          IR的DirectFET MOSFET封裝已獲得專利,它匯集了標準塑料分立封裝所不具備的一系列設計優點。金屬罐構造能發揮雙面冷卻功能,使得用以驅動先進微處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力增加一倍。

          該芯片組的基本規格如下:

         

        <strike id="qay2a"></strike>

        產品編號

        封裝

        功能

        BVDSS (V)

        10V下最大RDS(on) (mOhm)

        4.5V下最大RDS(on) (mOhm)

        VGS

        (V)

        Tc=25



        關鍵詞: IR

        評論


        相關推薦

        技術專區

        主站蜘蛛池模板: 平舆县| 台北县| 济源市| 江永县| 延川县| 贺州市| 遂昌县| 正镶白旗| 腾冲县| 务川| 卓尼县| 南投市| 迁安市| 富川| 涿鹿县| 剑河县| 克拉玛依市| 图片| 康保县| 霍城县| 潜山县| 塘沽区| 保定市| 五指山市| 达拉特旗| 康乐县| 海林市| 夹江县| 舞阳县| 子洲县| 邯郸县| 彭泽县| 简阳市| 西乡县| 石楼县| 阜宁县| 上饶市| 卫辉市| 赣州市| 南京市| 和林格尔县|