新興終端用戶驅動分立功率半導體市場增長

    金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)領域的革新，多少彌補了這個成熟產品領域缺乏技術創(chuàng)新的現(xiàn)狀。這些革新有益于促使將分立功率半導體引入新應用，并且探索新的終端用戶市場機會。 

　　根據(jù)Frost & Sullivan日前發(fā)布的全球分立功率半導體市場調查，2005年該市場年收入為104.9億美元，預計2009年將發(fā)展到144.2億美元。Frost & Sullivan高級研究分析員Bonnie Varghese K表示，“汽車中電子產品逐漸增加，以及通信和電子玩具市場火爆都對分立功率半導體銷售帶來積極影響。行業(yè)經歷了一次完整的復蘇過程，并且預計未來幾年增長還將持續(xù)。” 

　　消費電子、通信技術和汽車市場銷售增長推動了分立功率半導體市場，尤其在亞洲市場，這些應用貢獻了分立功率器件年銷售收入的一半以上。 

　　盡管終端用戶市場出現(xiàn)增長，但半導體閘流管、整流器和雙極晶體管缺乏技術革新。由于沒有明顯的技術進步，產品無差別化導致部分制造商已開始放棄這些產品。另外，制造商為了增加銷售量壓低價格，經常導致收入負增長或者零利潤。僅僅少量公司在整流  
器研發(fā)中進行投資，并且這些公司也沒有承諾長期投資開發(fā)。 

　　Varghese解釋，“通用整流器市場急劇下滑，但肖特基整流器很有可能實現(xiàn)增長。盡管有將整流器功能集成到其他功率半導體的趨勢，但一些終端用戶聲稱這樣會對分立器件的效率帶來消極影響。” 

　　由于在制造過程和效率方面不斷改進，MOSFET和IGBT的性能已經有了很大提高。通過減少漏源電阻(drain-source resistance)、提供低傳導損耗、更高功率級別、更快速轉換速度，更低轉換損耗和更小的封裝尺寸，應用和設計人員不斷提高這些器件的性能表現(xiàn)。在低價格和附加功能幫助下，MOSFET和IGBT增加和保持了市場份額。