IR推出兩款新型DirectFET MOSFET芯片組

世界功率管理技術領袖國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出兩款新型的30V DirectFET MOSFET同步降壓轉換器芯片組。新品適用于安裝了最新款Intel和AMD處理器的筆記本電腦設計，滿足其更小體積、更高效率和良好散熱的要求。

IR中國及香港銷售總監嚴國富指出，全新30V芯片組能在整個額定負載范圍內實現更高效率。由于封裝體積更小，只需單個控制和單個同步MOSFET便可在大電流下工作，因此功率密度高于傳統封裝。也就是說，這些芯片組具有更好的熱性能，面積也更小，最適用于體積超小、需要提高電池使用效率的移動計算應用。

新品的每一款芯片組都包含一個控制MOSFET和一個同步MOSFET，而每個器件都經過特別設計，在同步DC-DC降壓轉換器電路中發揮最佳性能。控制MOSFET具有更低的開關損耗，同步MOSFET的傳導損耗更低（低導通電阻），逆向恢復電荷也很低。

其中一款芯片組包含IRF6617控制場效應管和IRF6611同步場效應管，能在高密度、空間有限的電路板中達到最佳的性能，每個功率通道可達20A。另一款芯片組則包含IRF6637控制場效應管和IRF6678同步場效應管，適用于每個功率通道高于20A的應用，可有效提升熱性能。

IRF6617控制場效應管采用小罐（ST）DirectFET封裝，IRF6637控制場效應管則采用中罐（MP）DirectFET封裝。為了方便修改現有設計，兩款同步場效應管都采用中罐（MX）DirectFET封裝，可以輕松地將IRF6611替換為IRF6678，滿足更大電流和散熱性能的需求。

新的芯片組有助于電路設計人員縮減高頻、大電流DC-DC轉換器的體積。這些轉換器適用于高檔電腦和服務器，以及先進的電信和數據通信系統。

IR的DirectFET MOSFET封裝已經獲得了專利，其中匯集了一系列標準塑料分立封裝不具備的設計優點。金屬腔構造能發揮雙面冷卻功能，把用以驅動先進微處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理效率增加一倍。此外，采用DirectFET封裝的器件均不含鉛和溴化物。

芯片組的基本規格如下：

產品編號 功能 封裝 BVDSS (V) 10V下最大RDS(on) (mOhm) 4.5V下最大RDS(on) (mOhm) VGS(V) Tc=25