意法半導體（ST）的混合發射極晶體管

意法半導體（紐約證券交易所：STM）推出了一個混合發射極開關雙極晶體管(ESBT)，這個被稱作STE50DE100的新器件可用于焊接設備、感應加熱系統和音頻放大器的功率因數校正應用。
STE50D100的集電極-源極能經受1000V的高壓，集電極電流高達50A，這個四端子器件采用工業專用螺釘組裝的TSOTOP封裝。
在設計上，新器件集中了雙極晶體管和MOSFET管的優點，并且摒棄了它們的缺點。
目前，功率雙極晶體管技術廣泛用于頻率低于70KHz的電源開關應用，因為集電極-發射極飽和電壓低，功率雙極晶體管具有較低的導通損耗；但它的缺點是開關速度低、驅動電流大以及與驅動電路調優相關問題。
相反，MOSFET技術廣泛應用于高頻電源開關應用中，MOSFET的主要優點是開關速度快、驅動電流極低。它的缺點是成本高于雙極晶體管技術，導通功耗高。
STE50DE100通過整合優點，消除缺點，把導通損耗降低到與雙極晶體管相同的水平，同時在150KHz以下時高速開關性能達到了MOSFET的水平。
此外，因為采用共射-共基放大器配置和專用的雙極技術，該器件能夠提供一個方形反向偏壓安全工作區，所以它能夠在需求苛刻的開關拓撲內工作。
ISOTOP封裝十分耐用，在25˚C時可以承受高達400W的總功耗。最高工作結溫150˚C，絕緣電壓2500V AC-RMS。訂購1000件的單價為20.0美元。