IR推出針對高效率高性能放大器的D類音頻DirectFET MOSFET
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功率管理廠商國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）為中等功率的D類音頻放大器推出IRF6665 DirectFET™ MOSFET。此款設計旨在改進音頻器件的效率、總諧波失真（THD）、功率密度等性能。D類放大器應用廣泛，從電池驅動的便攜式產品到高端的專業級放大器，從樂器到汽車和家庭多媒體系統均能適用。
在針對應用專門優化的硅片上，IR的DirectFET™封裝技術通過降低引線電感提高了D類音頻放大器的性能，進而改善開關性能、降低電磁噪聲。由于效率提升，無需散熱器即可在8歐阻抗上運行100W功率。散熱器的免除減少了電路面積和體積，設計布局更靈活，放大器成本也更低。
決定D類音頻性能的重要MOSFET參數包括器件導通電阻RDS(on)和柵電荷Qg，這兩者決定放大器效率。
IR中國及香港銷售總監嚴國富表示：“IR在同步整流和功率MOSFET開關電路上的專業技術適用于D類音頻拓撲。綜合了IR獨特的DirectFET封裝和特殊應用器件參數后， D類音頻性能封套將具備更高效率，更完善的EMI和更佳功率密度。
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產品 型號 |
封裝 |
BVDSS(V) |
RDS(on) typ @10V(mOhm) |
ID @ Tc=25ºC(A) |
QG typ.(nC) |
QSW typ.(nC) |
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IRF6665 |
DirectFET™ |
100 |
51 |
19 |
8 |
3.5 |
IRF6665 D類音頻DirectFET™ MOSFET 現已供貨
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