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        IR推出針對高效率高性能放大器的D類音頻DirectFET MOSFET

        作者: 時間:2004-12-13 來源:電子產品世界 收藏

          功率管理廠商國際整流器公司(International Rectifier,簡稱)為中等功率的D類音頻放大器推出F6665 DirectFET™ MOSFET。此款設計旨在改進音頻器件的效率、總諧波失真(THD)、功率密度等性能。D類放大器應用廣泛,從電池驅動的便攜式產品到高端的專業級放大器,從樂器到汽車和家庭多媒體系統均能適用。

          在針對應用專門優化的硅片上,的DirectFET™封裝技術通過降低引線電感提高了D類音頻放大器的性能,進而改善開關性能、降低電磁噪聲。由于效率提升,無需散熱器即可在8歐阻抗上運行100W功率。散熱器的免除減少了電路面積和體積,設計布局更靈活,放大器成本也更低。

          決定D類音頻性能的重要MOSFET參數包括器件導通電阻RDS(on)和柵電荷Qg,這兩者決定放大器效率。

          IR中國及香港銷售總監嚴國富表示:“IR在同步整流和功率MOSFET開關電路上的專業技術適用于D類音頻拓撲。綜合了IR獨特的DirectFET封裝和特殊應用器件參數后, D類音頻性能封套將具備更高效率,更完善的EMI和更佳功率密度。

         

        產品

        型號

        封裝

        BVDSS(V)

        RDS(on) typ @10V(mOhm)

        ID @ Tc=25ºC(A)

        QG typ.(nC)

        QSW typ.(nC)

        IRF6665

        DirectFET™

        100

        51

        19

        8

        3.5


          IRF6665 D類音頻DirectFET™ MOSFET 現已供貨



        關鍵詞: IR 模擬IC 電源

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