Fairchild推出適用于整體功率分立器件技術平臺的高壓SPICE模型

　　過去，高壓(HV)分立器件和產品開發(fā)需要經過一系列漫長的過程，在該過程多種技術通過利用TCAD*、制造與封裝物理部件、進行測量及展開迭代校準周期得以開發(fā)。

　　由于設計人員采用SPICE而非TCAD模擬應用電路，因此通常在技術開發(fā)后期(即基于硅的SPICE模型最終可用時)才進行應用仿真并對其進行校準。當技術發(fā)生任何變化或調整，都要求相應的分立SPICE模型在可用于應用仿真之前進行新一輪的TCAD仿真、器件制造以及測量。

　　現(xiàn)在，新開發(fā)的基于物理、可擴展SPICE模型集成了工藝技術，位于設計流程的最前沿。憑借SPICE模型，設計人員可先模擬產品性能再進行器件制造，這樣就能縮短設計和制造周期，進而降低成本并加快產品上市時間。

　　Fairchild已推出可擴展的物理SPICE級模型，適用于下列高壓分立技術：

　　IGBT(FS溝道650 V)

　　超結FET(600 V和800 V SuperFET® MOSFET)

　　高壓二極管(STEALTH™ I、II型二極管和HyperFast系列二極管)

　　Fairchild高壓SPICE模型是一種適用于整個技術平臺的物理模型，能夠追蹤布局和工藝技術變更，并非根據(jù)每個器件尺寸以及工藝變化而開發(fā)的獨立分立器件模型庫。

　　Fairchild全球銷售與應用部門高級副總裁Chris Allexandre表示：“Fairchild專注于提供出色的高壓設計平臺。這些全新的SPICE模型不僅可實現(xiàn)虛擬原型設計，而且有助于我們的客戶更快速地解決問題、開發(fā)新產品并在最短時間內上市。這也表明我們恪守承諾，為客戶提供價值可觀的優(yōu)質服務。”