國內LED關鍵設備MOCVD如何實現“彎道超越”

　　5月7日，第十三屆全國MOCVD學術會議在半導體照明產業重要基地——江蘇省揚州市召開。來自大陸和臺灣、香港兩地的500多名科研院所和國家“千人計劃”的專家與企業家，共同就我國MOCVD(金屬有機化合物化學氣相淀積，是金屬有機化學氣相沉積外延片爐，用于生產LED芯片)行業技術創新、市場應用、發展現狀以及未來趨勢等進行深入研討，并集中發布一批最新科技成果。

　　從此次會議上了解到，我國半導體照明產業自列入“十一五”中長期發展規劃以來，在國家和地方政策的重點扶持下，通過政產學研合作途徑，加大技術創新力度，攻克了一些關鍵性技術難題，LED產業快速向上衍生，應用與封裝發展水平與國外基本持平。尤其是上游原材料以及MOCVD設備更是迎頭趕上，用于照明用的大功率的特性襯底技術，加工穩定性以及對外延效率與國外相比，差距快速縮小。同時，外延片的亮度、內量子效率、抗靜電能力、抗漏電能力以及品質控制水平等，與國外知名企業的產品差距不大。目前，紅黃光LED、顯示用LED外延已非常成熟，照明用LED外延技術也已經達到較高水平。到去年底，從MOCVD技術發展來看，關鍵技術產品替代進口達75%左右。專家認為，盡管我國MOCVD已形成一個高科技產業，但我國整體與國外仍有明顯差距，核心技術還依靠進口，急需重點突破，我國才能夠實現“彎道超越”。