ADI:中國TD系統如何實現向TD-LTE發展

理論上講，3.5G LTE的發射架構仍然可以采用2G/3G時代的RF-基帶直接下變頻架構和RF-中頻-基帶的IF轉換架構。兩種架構各有優缺點，直接下變頻架構實現成本低，但性能要差一些。IF轉換架構實現成本高一些，但性能要好一些。但不管是哪種架構，PLL的典型相位抖動的EVM性能指標要低于1% rms。

LTE對發射通道的總的性能要求為：1）3.5G LTE頻譜質量和輻射限制應當符合現有3G WCDMA規格要求；2）單載波LTE發射器可以與3G架構非常類似；3）EVM和頻譜質量是關鍵指標；4）DAC的動態范圍由發射的LTE（或WCDMA）載波數量決定。對高動態范圍的多載波設計而言，建議采用16位DAC。5）目前業內的寬帶IQ調制器可以提供必需的動態范圍：SFDR=2/3（OIP3-NSD）〉80dB。6）為得到最好的EVM性能，建議選擇集成VCO的寬帶小數-N合成器。7）為了滿足頻譜質量和高PAR OFDM要求，必須選用高線性度前置放大器和功放。

對于接收通道來講，如果選用IF轉換架構，那么選擇高IF（單次轉換）和低IF（二次轉換）對接收通道的影響也是各有千秋。例如，如果選擇高IF，那么ADC線性度良好，ADC噪聲性能也良好，系統復雜性更低，信道可選擇性好，系統成本也會因為更低復雜度和更少的轉換級而更低，但不足的地方是，對抖動/PN的靈敏度高，轉換器成本更高，為了實現更好的線性度而需要的轉換器功率也更高。

如果選擇低IF，那么ADC線性度將會更好，ADC噪聲性能也會更好，對抖動/PN的靈敏度低，信道可選擇性也更好，轉換器成本更低，轉換器功率也更低，但不足的地方是，系統復雜性更高（因增加了一個轉換級），系統成本也會因為信號鏈上更多的元件數而更高。

如果選擇直接下變頻架構，也各有優缺點。優點包括：很好的轉換器性能，非常簡單的信號鏈和架構，更低的元件數，更低的系統成本。缺點包括：增益/相位/非正交IQ信號的正交誤差較大，有DC失調問題，信號鏈可能很難設置和維護。

總的來講，與TD-SCDMA相比，幀的結構沒有任何改變。LTE FDD和TD-LTE在現有標準的接收靈敏度水平方面也沒有什么區別。不過，LTE要求明顯比TD-SCDMA更嚴苛！如果現有的TD-SCDMA平臺不能提供足夠的裕量，那么主要的接收通道可能不得不進行重新設計。軟件和DSP需要升級以滿足可伸縮OFDMA對信號處理和調度的新要求。