德國研制出高速CMOS圖像傳感器

　　CMOS影像傳感器早已成了數碼攝影的主要解決方案。它們比現存的其他品種傳感器更加經濟，在能量消耗和處理方面也很出色。因此，手機和數碼相機制造商幾乎無一例外地將CMOS芯片應用在自家的產品之中。這不僅降低了數碼產品對電池的需求，也使生產出更多越來越小的相機成為可能。

　　然而這些光學半導體芯片已經達到了自己的極限，當消費類電子產品體積越來越小時，像素的大小也隨之遞減至1微米左右。但特定的應用需要超過10微米的更大像素，尤其是在X射線攝影或天文學研究等光線十分有限的領域，而較大的像素可以補償光線的缺失。針狀光電二極管(PPD)可被用于將光信號轉化為電脈沖，這種光電組件對于圖像處理十分關鍵，也可以作為CMOS芯片的組成部分。“然而當像素超過一定的尺寸，PPD就會產生速度問題。低亮度的應用需要更高的圖像率，但使用PPD的讀出速度明顯偏低。”弗勞恩霍夫研究所微電子電路和IMS系統部門的負責人維爾納·布洛克赫德解釋說。

　　研究人員現在提出了有關這一問題的解決方案，他們研發出了名為“橫向漂移場光電探測器”(LDPD)的新型光電組件。在這個組件中，高速移動的入射光能在讀出點產生電荷載子，借助PPD則可將電子擴散至出口。這一過程相對緩慢，但它卻足以滿足多種應用。

　　為了生產出新的組件，研究人員基于0.35微米的標準改進了當前使用的CMOS芯片的制造過程。布洛克赫德表示，附加的LDPD組件不會損害其他組件的特性，利用模擬計算，專家會對其進行管理以滿足這些需求。目前，新型高速CMOS圖像傳感器的原型已經成形，有望于明年得到批準開始大批生產。