針對有線電視和通訊應用的PIN二極管衰減器的結構
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四元二極管pi型衰減器需要一個恒定的電壓V+和一個可變的控制電壓Vc。對于1.25V的V+，可變控制電壓的范圍為0V到大約5V。電壓V+的值代表了回程損耗與控制電壓范圍之間的一個折衷，更低的V+可以降低回程電壓，但同時也會使控制電壓的工作范圍縮小。
本文中介紹的衰減器是在8mm厚的RF4型印刷電路(PCB)上實現的。RF4具有良好的機械穩定性和耐久性，成本低，但其損耗大，難于控制，而且介質系數與工作頻率密切相關。另一方面，玻璃纖維增強型聚四氟乙烯(PTEE)PCB材料具有良好的高頻特性，但是相對昂貴一些，機械穩定性也比較差，不適合于某些表面貼裝工藝。選用針對高頻工作要求進行了優化的PCB基底材料可以改善高頻性能，各種測量參數對頻率的依賴程度受到與HSMP-3816二極管四元組、PCB、其它元件及連接器相關的寄生效應的影響。
將PIN二極管用做衰減元件時，PIN二極管具有比等效的GaAs MESFETs更高的線性度，通過使用具有厚I層及低介質張弛頻率(fdr)的多個PIN二極管就可以將信號畸變減小到最低程度。在Avago公司PIN二極管產品線中HSMP-381x系列產品的I層最厚。在低衰減狀態，大部分RF能量僅僅是從輸入端傳輸到輸出端而已。不過在高衰減狀態，更多的RF能量被傾入衰減器，會使信號失真度上升。當Vc接近0時，幾乎沒有電流流過兩個串聯的二極管，它們接近于零偏壓狀態，其結電容將隨RF電壓同步變化，幸運的是，由于兩個二極管是反向串聯的，所以可以抑制由受RF調制的電容所產生的某些失真或畸變。由于封裝的兩個反串二極管具有完全互相匹配的特性，因此可以得到最佳的失真抑制能力。
Pi衰減器的相位偏移隨衰減值而變化。總的相位偏移接近90度，在三個相隔較遠的工作頻率點(100、900和1800 MHz)測試時此相位偏移表現相當穩定。
圖1所示為π衰減電路的示意電路圖。圖2的左邊為π衰減器的PCB布局，右邊為元件布置。表1中給出了所需要的元件(包括四元二極管)。圖3、4、5給出的成品π衰減器測試性能的樣本。 衰減器相關文章:衰減器原理
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