元器件分析：薄膜電阻器提供不滲透硫的解決方案

同樣，我們知道，浸鍍的保護性鈍化層的不重合也可能會使得硫污染的影響更為嚴重。在這種情況下，降低浸渡工藝的速度可以將這種效應降至最低，但這樣做也會增加制造成本并降低制造產能。因為薄膜內部端接不受硫污染的影響，所以這一工藝的精度并不重要。

很明顯，就其內部端接而言，薄膜電阻器技術可以更好地抵抗硫污染。除此之外，采用薄膜技術的電阻器也具有整體穩定性、更低的噪聲以及更低的寄生電容和電感（取決于電阻值）。圖2展示了常見的薄膜電阻器，它比厚膜片狀電阻器有顯著的改善，特別是它的電阻值較大。

圖2根據額定電阻值而變化的典型電流噪聲等級

在過去，這種電噪聲更低的改進措施只有在高端音頻應用中才能體現其重要性。但是，厚膜電阻器難以滿足目前最新的高速通信設備，例如路由器、網橋和DSL調制解調器等對噪聲的要求。許多因素導致厚膜電阻器的噪聲更大，薄膜和厚膜技術最顯著的一個差異體現在激光修整特性上。一旦燒制成功，厚膜材料的性狀實際上與玻璃類似。因此，隨著材料的冷卻，激光修整會在修整區域周圍形成許多細小的微裂痕。這些微裂痕是寄生電容和錯誤電流路徑的一種來源，所有這些都會固有地導致對高速通信信號的處理性能的下降。

為了降低激光修整對厚膜元件的影響，制造商通常會增加一層絕緣玻璃來穩定激光修整。這一層包含微量的鉛，而且人們深知它對于保持厚膜電阻器長期可靠性的重要性；鑒于其重要性，這種絕緣玻璃層目前屬于RoHS標準的豁免項目。

但是，這種豁免今后是會繼續存在，抑或業界會要求使用一種不含鉛的激光修整穩定的備選方法，前景尚不明朗。薄膜技術可以提供一種“更為綠色”或更為環保的電阻器，因為它不需要使用幾乎所有厚膜芯片都會用到的含鉛玻璃。

發展

薄膜技術以及厚膜技術的一項最新發展是在給定的EIA標準片狀電阻器尺寸上獲得了更高的額定功率（如表1所示）。這一重要進步使得工程師能夠使設計小型化，而無須犧牲功率處理能力。對于增強電流設計、減小未來設計的尺寸、產出更小的最終產品或在同尺寸產品中提供更多功能而言，這項突破都是至關重要的。

影響薄膜技術批量應用于片狀電阻器制造的最重要因素是它的成本。具有最差容差和TCR的薄膜片狀電阻器的常見價位要比最接近它的厚膜同類產品高10?100倍。為了減少這種差異，供應商需要對薄膜材料進行完全重新設計，以滿足高速低成本生產的需要。它還需要開發一種高速的內聯式薄膜制造工藝。降低成本的最后一步是將對薄膜材料的要求從高精度級別（0.1%的容差和25×10-6/℃的TCR）放寬到商用、通用和商品級別（1%容差和100×10-6/℃的TCR）。這3項進步可以同時應用于價格僅為常見商品厚膜片狀電阻器的10%?20%的片狀電阻器。那可能是所有發展中最引人注目的一項。