實現無熒光粉的單芯片白光發光二極管

圖二、發光二極管InGaN/GaN 有源區透射電子顯微鏡截面圖片

電致熒光譜研究表明在低電流下LED發射黃光。隨著電流增加大于20mA，藍光強度逐漸增加，出射光也逐漸由偏黃光過渡到白光。透射電子顯微鏡截面圖顯示在InGaN 量子阱中形成了大量的富In量子點。在低注入電流的時候，載流子先被富In量子點俘獲發出黃光，隨著電流增加，量子點之外的量子阱區域開始俘獲載流子，輻射復合之后發射出藍光，藍光與黃光混合產生白光。