高頻感應電源理論解析及試驗進程報告

一、 感應加熱發展的歷史及其應用場合

1．感應加熱發展歷史

感應加熱來源于法拉第發現的電磁感應現象，也就是交變的電流會在導體中產生感應電流，從而導致導體發熱。長期以來，技術人員都對這一現象有較好了解，并且在各種場合盡量抑止這種發熱現象，來減小損耗。比較常見的如開關電源中的變壓器設計，通常設計人員會用各種方法來減小渦流損耗，來提高效率。然而在19世紀末期，技術人員又發現這一現象的有利面，就是可以將之利用到加熱場合。來取代一些傳統的加熱方法，因為感應加熱有以下優點：

（1） 非接觸式加熱，熱源和受熱物件可以不直接接觸

（2） 加熱效率高，速度快，可以減小表面氧化現象

（3） 容易控制溫度，提高加工精度

（4） 可實現局部加熱

（5） 可實現自動化控制

（6） 可減小占地，熱輻射，噪聲和灰塵

由于感應加熱具有以上的一些優點，大量的工程技術人員對此進行了研究，1890年瑞典技術人員發明了第一臺感應熔煉爐――開槽式有芯爐，1916年美國人發明了閉槽有芯爐，從此感應加熱技術逐漸進入實用化階段。而后，20世紀電力電子器件和技術的飛速發展，極大的促進了感應加熱技術的發展。

1957年，美國研制出作為電力電子器件里程碑的晶閘管，標志著現代電力電子技術的開始。同時，也引發了感應加熱技術的革命。1966年，瑞士和西德首先利用晶閘管研制感應加熱裝置，從此感應加熱技術開始飛速發展。

80年代后，電力電子器件再次飛速發展，GTO，MOSFET，IGBT，MCT，SIT等器件相繼出現。感應加熱裝置也逐漸摒棄晶閘管，開始采用這些新器件?，F在比較常用的是IGBT和MOSFET，IGBT用于較大功率場合，而MOSFET用于較高頻率場合。據報道，國外可以采用IGBT將感應加熱裝置做到功率超過1000KW，頻率超過50K。而MOSFET較合適高頻場合，通常在幾千瓦的中小功率場合，頻率可達到500K以上，甚至幾M。然而國外也有推出采用MOSFET的大功率的感應加熱裝置，比如美國研制的2000KW/400KHz的裝置。

國內的電力電子技術起步比較完，所以感應加熱技術也落后于國外很多。但是由于市場前景廣闊，所以研制的感應加熱的技術人員逐漸增加。國內在此領域處于領先地位的為浙江大學，但是離國外先進技術還有相當距離。

2． 感應加熱應用場合

感應加熱可以用于多種場合，主要有：

（1） 冶金：有色金屬的冶煉，金屬材料的熱處理,鍛造、擠壓、軋制等型材生產的偷熱；焊管生產的焊縫。

（2） 機械制造：各種機械零件的淬火，以及淬火后的回火、退火和正火等熱處理的加熱。壓力加工前的透熱。

（3） 輕工：罐頭以及其它包裝的封口，比如著名的利樂磚的封口包裝。

（4） 電子：電子管真空除氣的加熱

二 感應加熱基本原理

1.電磁感應原理

1831年，英國物理學家faraday發現了電磁感應現象，并且提出了相應的理論解釋。其內容為，當電路圍繞的區域內存在交變的磁場時，電路兩端就會感應出電動勢，如果閉合就會產生感應電流。

利用高頻電壓或電流來加熱通常有兩種方法：

（1） 電介質加熱：利用高頻電壓（比如微波爐加熱）

（2） 感應加熱：利用高頻電流（比如密封包裝）

2．電介質加熱（dielectric heating）

電介質加熱通常用來加熱不導電材料，比如木材。同時微波爐也是利用這個原理。原理如圖1：

圖1 電介質加熱示意圖

當高頻電壓加在兩極板層上，就會在兩極之間產生交變的電場。需要加熱的介質處于交變的電場中，介質中的極分子或者離子就會隨著電場做同頻的旋轉或振動，從而產生熱量，達到加熱效果。

3．感應加熱（induction heating）

感應加熱原理為產生交變的電流，從而產生交變的磁場，再利用交變磁場來產生渦流達到加熱的效果。如圖2：

圖2 感應加熱示意圖

基本電磁定律：

法拉第定律：

安培定律：

其中： ，

如果采用MKS制，e的單位為V，?的單位為Wb，H的單位為A/m，B的單位為T。

以上定律基本闡述了電磁感應的基本性質，

集膚效應：

當交流的電流流過導體的時候，會在導體中產生感應電流（如圖3），從而導致電流向導體表面擴散。也就是導體表面的電流密度會大于中心的電流密度。這也就無形中減少了導體的導電截面，從而增加了導體交流電阻，損耗增大。工程上規定從導體表面到電流密度為導體表面的1/e＝0.368的距離δ為集膚深度。

在常溫下可用以下公式來計算銅的集膚深度：

圖3 渦流產生示意圖

從以上可以看到，如果增大電流和提高頻率都可以增加發熱效果，是加熱對象快速升溫。所以感應電源通常需要輸出高頻大電流。