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        一種基于動態(tài)閾值NMOS的1.2V CMOS動態(tài)閾值模擬乘法器

        作者: 時間:2012-01-02 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
        體管個數(shù)為6,且需要額外的偏置電路。文獻(xiàn)的偏置電路功耗大于CMOS本身的功耗。在1.5V電源電壓條件下約為70μA。與文獻(xiàn)的仿真設(shè)計結(jié)果比較,文中輸出信號帶寬小于文獻(xiàn)的帶寬,主要是由于0.6 μm CMOS工藝限制。文中的功耗要小于文獻(xiàn),并不需要額外的偏置電路,設(shè)計方便。

        4 結(jié)束語
        采用NMOS晶體管作為兩路輸入信號的輸入晶體管,采用4個NMOS和2個有源電阻實(shí)現(xiàn)了一種低壓低功耗CMOS電路,節(jié)省了輸入晶體管數(shù)目,節(jié)省了偏置晶體管和偏置電路,實(shí)現(xiàn)低壓低功耗的目的。基于CSMC 0.6 μm DPDM CMOS工藝,1.2 V模擬乘法器的輸入信號VinA的頻率為5 MHz,信號峰峰值為1.0 V,而輸入信號VinB的頻率為100 MHz,信號峰峰值為0.5 V,則輸出信號Vout的峰峰值為0.35 V,一次諧波和三次諧波的差值為40 dB。1.2 V模擬乘法器輸出信號的頻帶寬度為375 MHz,平均電源電流約為30 μA,即動態(tài)功耗約為36μW,能直接應(yīng)用于低功耗通信集成電路的設(shè)計。


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