改善VRM輸出瞬態響應的辦法

　　除了由于輸出濾波電容的ESR、ESL，使頻繁高速變化的電流引起VRM輸出電壓的變化外，電路中其他的寄生參數，如引線的寄生電阻、寄生電感也會對VRM的瞬態電壓調整變化有很大的影響，因此要盡量減小引線的寄生參數。

　　改善VRM輸出瞬態響應的方法有以下幾種：

　　（1）在輸出端并聯解耦電容。但解耦電容也具有ESR和ESL等寄生參數，也會引起解耦電容端的瞬時電壓降落。單純地靠增大解耦電容來改善VRM的瞬態特性并不一定十分有利，這是因為即使是幾納亨的寄生電感也需要100 μF的解耦電容，以保持VRM的瞬態電壓在規定的范圍內變化。解耦電容越大，所占的空間也越大，與微處理器的尺寸不相稱，有時因為受空間的限制，甚至不可能實現。而且增大解耦電容只對改善輸出瞬態響應的初期有利，對于瞬態響應后期作用不大。對瞬態響應時間的改善也不顯著。

　　（2）用多通道轉換器，交錯控制輸出電流的波，以保證輸出電壓的紋波，改善輸出瞬態響應。

　　表1所示為單純增大解耦電容和利用交錯控制多通道轉換器改善輸出瞬態響應的結果比較。

　　表1 改善輸出瞬態響應兩面三刀種方法的比較

　　（3）用電壓調整技術改善瞬態輸出響應，減少輸出電容。Intel公司曾與其他公司合作，聯合開發了一種適用于服務器、工作站及臺式計算機的兩相VRM。輸出1.1～1.85 V、60A，外接電容1200 μf×6，電感1 μH，母線電壓12 V。采用￣ADP3l60控制芯片，按有源電壓調整的原理來改善瞬態響應；VRM采用兩片ADP3412穩壓電源模塊控制器芯片及兩個驅動MOSFET，體積小，成本低。

　　（4）縮短VRM與微處理器之間的連接線，減少寄生參數。將VRM與微處理器放在母板（motherboard）上，使VRM與微處理器盡量靠得很近，甚至將電感做成平面磁元件，VRM可以與微處理器系統集成為一個整體（System IntegratiON），取消連接線，使輸出濾波器的L、C也大大減小。