基于一階溫度補(bǔ)償技術(shù)的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源電路 作者： 時(shí)間：2012-12-20 來源：網(wǎng)絡(luò) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 電路的溫度系數(shù)達(dá)到了10x10-6／℃，室溫下電路的功耗為5.2831mW，電路低頻時(shí)的電源抑制比特性還不是很好，還有待于進(jìn)一步的提高，高頻時(shí)的電源抑制比非常好，因此本電路可以廣泛應(yīng)用于低功耗，低溫漂，高頻集成電路中。 上一頁 1 2 下一頁
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