高性能柵極驅(qū)動器提高HEV和EV應(yīng)用的效率和可靠性

汽車向電氣化方向發(fā)展，需要具有更高效率、更大驅(qū)動電流和更強抗噪能力和符合汽車標(biāo)準(zhǔn)要求的逆變器。尤其是在混合動力汽車(HEV)和電動汽車(EV)領(lǐng)域，逆變器在運動控制、電池管理(充電和控制)以及DC/DC轉(zhuǎn)換器得到廣泛應(yīng)用。

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild)技術(shù)行銷副經(jīng)理張瑞斌告訴記者，2010年EV逆變器動力傳動系統(tǒng)就比2004年EV逆變器縮小20%，同時還提高功率密度和抗噪能力。為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體最近開發(fā)出大電流高側(cè)柵極驅(qū)動器IC產(chǎn)品FAN7171和大電流高側(cè)與低側(cè)柵極驅(qū)動器IC產(chǎn)品FAN7190。

張瑞斌說，F(xiàn)AN7171和FAN7190是飛兆半導(dǎo)體汽車高壓IC(HVIC)柵極驅(qū)動器系列的成員，適合電動與混合動力DC/DC電源和功率逆變器、柴油和汽油噴射器及閥門，以及MOSFET和IGBT高側(cè)驅(qū)動器應(yīng)用，在嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用中能提供更高效率、更大驅(qū)動電流和更高穩(wěn)健性。

FAN7171和FAN7190具有很高的功率密度，4.5A/4.5A源/漏電流驅(qū)動能力。FAN7171能夠驅(qū)動工作電壓高達(dá)+500V的高速MOSFET和IGBT的單片式高側(cè)柵極驅(qū)動器IC，而FAN7190則能夠驅(qū)動工作電壓高達(dá)+600V的MOSFET和IGBT。更大的驅(qū)動能力能夠?qū)崿F(xiàn)功率更高的系統(tǒng)，提高功效。

大電流高側(cè)柵極驅(qū)動器IC產(chǎn)品FAN7171架構(gòu)圖

兩款器件采用飛兆半導(dǎo)體的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù)，均具有緩沖輸出級，帶有設(shè)計用于大脈沖電流驅(qū)動能力和最小交叉?zhèn)鲗?dǎo)的全部NMOS晶體管。FAN7171和FAN7190具有很強的抗噪能力，15V VBS下負(fù)電壓擺幅(VS)低至-9.8V，可實現(xiàn)更高的設(shè)計可靠性，并提高了在惡劣噪聲環(huán)境中的耐久性。

FAN7171和FAN7190滿足汽車AECQ100 Class 1標(biāo)準(zhǔn)，是具有更多功能的高集成度器件，能夠減少元件數(shù)目并降低材料清單成本，縮小線路板空間并有縮短設(shè)計周期的潛力。