造成系統毀損及耗能的浪涌電流

它們也有兩種不同類型，負溫度系數 （negative temperature coefficient；NTC） 與正溫度系數（positive temperature coefficient；PTC）。NTC熱敏電阻的電阻隨著溫度升高而降低，而PTC熱敏電阻器的電阻則隨著溫度升高而升高。故在設計中可以將PTC及NTC串結以減少溫度變化造成阻尼改變的影響。

圖六 ： 有效限制浪涌？流的串？？阻？路

圖七 ： 標準的熱敏電阻溫度曲線

再據交流-直流（AC-DC）電源如圖7為例說明其架構及量測出來的inrush current波形，顯示出的EMI X-電容僅為約1.0μF，導致浪涌電流主要是內部大容量電容器，故需于前端放置NTC電阻來降低其浪涌電流其電流圖如圖8~9分別依交流115V及230V量測電流的結果 。

圖八 ： 標準的AC-DC內置熱敏電阻的電源方塊圖

圖九 ： 輸入為AC115V/90。 的電流waveform CH1： Vin （100V/div）， CH2： Iin （10A/div），

圖十 ： 輸入為AC230V/90。 的電流waveform CH1： Vin （100V/div）， CH2： Iin （10A/div），

第二種就是主動式限制浪涌電流（Active Inrush Limiting），其等效電路如圖10所示。這個電路在電源端負極使用一個MOS場效應管（MOSFET）系列器件Q1。Q1通過R2拉低其門限電壓，通常是斷開的。當施加輸入電壓時，通過R1為柵極充電。

Q1的充電時間和開啟時間將由于C1的存在而減慢?？梢赃x用R1和C1來為輸入電容緩慢充電，來限制浪涌電流。在輸入電容充好后，Q1柵極將會充電，直至被齊納（穩壓）二極管（Zener Diode）限制，然后Q1將保持完全開啟。

圖十一 ： 有效限制浪涌電流的串聯晶體管離散電

這個電路可以修改為將Q1 放置正極。 P channel MOS場效應管或者N channel MOS場效應管都可用，但是需使用由充電泵（charge pump）或者隔離供給（isolated supply）來驅動柵極。另外還存在其他一些有效的浪涌限制電路。他們均在輸入電源端使用一些串聯組件且以幾乎相同的方式發揮作用。很重要的是一旦輸入電容器被充電，這些裝置應被旁路或完全開啟，以限制線阻抗和功率耗損。

筆者另外研究了PULS電源采用一個新的方法，即透過延后開啟（Soft start）有效的降低其脈沖充電對電解電容充電的電流，其電路示意圖如圖11透過控制MOSFET對電解電容充電及飛輪二極管放電的有效限制浪涌電流串聯線路，其量測的結果如圖12一般采用NTC與采用延后開啟（Soft start）的inrush current波形圖，透過延后開啟有效控制了浪涌電流降至3安培。

圖十二 ： 延后開？（Soft start）電路圖

圖十三 ： 一般采用NTC 與采用延後開？（Soft start）的inrush current 波形圖

浪涌電流量測方式

直流浪涌尖峰電流量測需透過直流供應器先充飽電容治具，電容治具（電容治具的容值必須大于待測物（DUT）機器內部輸入電容值的10倍以上） 。

電容治具與待測物間， 需串結電阻以量測其電壓值來換算成電流值，當開關啟動時就可以取得浪涌尖峰電流，開關最好使用低Ron值的MOSFET，因使用Relay 或著SSR固態功率開關（solid state relay） 會？生彈跳造成量測不準，其接線方式如圖13浪涌尖峰電流量測接線圖。

打開電源供應器，先對電容充電，此時開關應為OFF，等待約20秒鐘，打開開關使DUT開機，并在數字示波器上擷取到波形。將在數字示波器擷取到的波形，調整其電流尺度使其可在畫面顯示出最大尺度，接著量測電壓最大值，電流最大值，以及打開光標將游標停留至1ms，并儲存波形，其量測的波形如圖14波形圖。

測試條件：

●環境條件：溫度25℃相對濕度65％

●測試條件：輸入電壓以產品規格之全電壓頻率范圍 Min/115Vac/230Vac/Max

●輸出負載以產品規格之最大