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        基于多路單端反激式開關電源的設計方案(一)

        作者: 時間:2013-10-11 來源:網絡 收藏
        x; text-indent: 2em; font-family: 宋體, Georgia, verdana, serif; ">當功率開關關斷時,由于漏感的影響,高頻變壓器的初級繞組上會產生反射電壓和尖峰電壓,這些電壓會直接施加在TOPSwitch芯片的漏極上,不加保護極容易使功率開關MOSFET燒壞。加入由R1、C2和VD1組成經典的RCD鉗位保護電路,則可以有效地吸收尖峰沖擊將漏極電壓鉗位在200 V左右,保護芯片不受損壞。推薦鉗位電阻R1取27 kΩ/2 W,VD1鉗位阻斷二極管快恢復二極管耐壓800 V 的FR106,鉗位電容選取22 nF/600 V的CBB電容。3.4 高頻變壓器

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/228071.htm

        3.4.1 磁芯的選擇

        磁芯是制造高頻變壓器的重要組成,設計時合理、正確地選擇磁芯材料、參數、結構,對變壓器的使用性能和可靠性,將產生至關重要的影響。高頻變壓器磁芯只工作在磁滯回線的第一象限。在開關管導通時只儲存能量,而在截止時向負載傳遞能量。因為開關頻率為100 kHz,屬于比較高的類型,所以選擇材料時選擇在此頻率下效率較高的鐵氧體,由:

        基于多路單端反激式開關電源的設計方案(一)

        估算磁芯有效截面積為0.71 cm2,根據計算出的Ae 考慮到閾量,查閱磁芯手冊,選取EE2825,其磁芯長度A=28 mm,有效截面積SJ=0.869 cm2,有效磁路長度L=5.77 cm,磁芯的等效電感AL=3.3 μH/匝2,骨架寬度Bw=9.60 mm.

        3.4.2 初級線圈的參數

        (1)最大占空比。根據式(1),代入數據:寬范圍輸入時,次級反射到初級的反射電壓VoR 取135 V,查閱TOP223Y數據手冊知MOSFET導通時的漏極至源極的電壓VDS=10 V,則:

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        (2)設置KRP .KRP= IR IP ,其中IR為初級紋波電流;IP為初級峰值電流;KRP用以表征的工作模式(連續、非連續)。連續模式時KRP小于1,非連續模式KRP大于1.對于KRP的選取,一般由最小值選起,即當電網入電壓為100 VAC/115 VAC或者通用輸入時,KRP=0.4;當電網輸入電壓為230 VAC時,取KRP=0.6.當選取的KRP較小時,可以選用小功率的功率開關,但高頻變壓器體積相對要大,反之,當選取的KRP較大時,高頻變壓器體積相對較小,但需要較大功率的功率開關。對于KRP的選取需要根據實際不斷調整取最佳。

        (3)初級線圈的電流初級平均輸入電流值(單位:A):

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        可知,KRP 選取合適。TOPSwitch器件的選擇遵循的原則是選擇功率容量足夠的最小的型號。

        (4)變壓器初級電感

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        3.4.3 初級次級繞組匝數

        當電網電壓為230 V和通用輸入220 V時:每伏特取0.6匝,即KNS=0.6.由于輸出側采用較大功率的肖特基二極管用作輸出整流二極管,因此VD取0.7 V,磁芯的最大工作磁通密度在BM在2 000~3 000 GS范圍內。偏置二極管VDB的壓降取0.7 V,偏置電壓VB取12 V.

        初級繞組匝數:

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