反激變壓器的設計

七、選擇線經，確定初級、次級和反饋繞組匝數。
線經的選擇按每平方mm傳遞4~6A平均電流來計算。根據銅窗折中選擇線經和匝數。盡量使Np、Ns和Na的取值接近整數。
八、做樣品、調整參數。
按照相關的法律法規來制作樣品，必須滿足產品市場的法律法規。包括溫升、絕緣等
級、安規、EMI、EMC等。
電磁屏蔽（法拉利屏蔽），繞組之間的屏蔽不能形成回路，一端懸空，一端連接初級
或次級的冷地（沒有電壓突變的點）。最外層的（磁芯外屏蔽）屏蔽必須形成回路，并將
節點連接到初級或次級的冷地。繞制變壓器時做到：熱節點（指電壓或電流突變的節點）
放置在底層。九、參考例子：

1、 確定Dmax和Vor。

假設次級二極管正向壓降Vd=0.7V，則：

VS=Vo+Vd=16.5+0.7=17.2V
Vor取80V，Vinmin=（1-a）*85*1.414 a：為線電壓整流后的紋波因子，與所用的
濾波電容的大小直接相關，電容量越大，a越小。一般電容量按每瓦2~3uF，來選
擇。假設a=0.3，則：
Vinmin=85*1.414*0.7=84V
在這里a的選擇必須注意了，如果選擇比實際的小了，那么實際的將大于設計的占
空比，若IC 有限制的話，將導致工作異常。
Dmax= Vor/（Vin+Vor）=80/（80+84）=0.488
IC 內部設計的最大占空比為0.6，所以僅從占空比的角度來看是滿足要求了。
驗證Vor的合理性。已知MOS的VDS=650V，最大直流電壓
Vinmax=265*1.414=375，假設Vleg=120V，則
余量Vy=650-375-80-120=75V
余量一般有30V就可以了，因此在設計RCD吸收電路時，可以將Vleg的電壓設置
在155V，這樣可以減少RCD吸收回路的功耗，從而提升效率。

2、 求匝比n。
n =Vor/(Vo+Vd)=80/17.2=4.65

3、 求初級電感量Lp。
Lp=Vinmin*Tonmax/Ipp=Vinmin*Vinmin*Dmax*Dmax/（2*Pin*fs*K）
=84*84*0.488*0.488/（50*1.5*2*17.2*0.35/0.76）
=1.414mH
所以Lp=1.414*1.1=1.55mH。

4、 選擇磁芯。
Ap = AwAe = (Pt*10000) / 2ΔB*f
*J*Ku=[(17.2*0.35/0.76+17.2*0.35)*10000]/(2*0.25*50000*400*0.2 )=0.0768平方厘
米
式中 Pt = Po /η +Po 傳輸功率
J : 電流密度 A / cm2 (300~500)
Ku: 繞組系數 0.2 ~ 0.5 .
查磁芯手冊可知，EE16 AP=0.0765 比較接近。故選擇EE16.5、 求最小初級匝數。

6、 初級、次級和反饋繞組匝數關系。
n=4.65 NS=125/4.65=26.88,在這里不能為小數，取29圈。

na=VS/VA=17.2/(16.5+0.7)=1
NA=NS=29圈
NP=4.65*29=134.85 取135圈.

7、 選擇線經，確定初級、次級和反饋繞組匝數。
初級次級平均電流最大值0.0943A,若按6A/mmmm,則Ds=0.1415mm 取0.15mm-
2UEW銅線。
反饋繞組，由于電流較小，考慮到容易繞線，取0.13mm-2UEW銅線。
次級平均電流0.35A,若按6A/mmmm,則Ds=0.2726mm,次級銅線如果用的是2UEW
線的話，電流密度取：4~6A/mmmm；若用的是TEX(三層絕緣線)線的話電流密度
最大可取到10A/mmmm.

8、 做樣品、調整參數。
根據第7步計算的方法來調整線經，使其可方便制樣。繞法略……。